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SE5015T-R 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 14:44:04 查看 閱讀�16

SE5015T-R 是一款基于硅技�(shù)的高效能功率 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor�,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)特性和高可靠�,非常適合用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和負(fù)載開�(guān)等場景�
  SE5015T-R 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是優(yōu)化功耗表�(xiàn)和系�(tǒng)效率,同�(shí)提供卓越的熱性能以支持緊湊型�(shè)�(jì)。其封裝形式� SOT-23,適合表面貼裝工�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高性能的需求�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電� V_DS�30V
  最大柵源電� V_GS:�20V
  連續(xù)漏極電流 I_D�2.4A
  �(dǎo)通電� R_DS(on)�85mΩ (典型�,在 V_GS=10V �(shí))
  總柵極電� Q_g�7nC
  輸入電容 Ciss�90pF
  輸出電容 Coff�18pF
  反向傳輸電容 Crss�3pF
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

SE5015T-R 具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� R_DS(on),可顯著降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用,減少開關(guān)損��
  3. 小型封裝 SOT-23,適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)��
  4. 高可靠性和�(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)正常�(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電子�(chǎn)品中�
  6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)抗靜電能�,提升器件耐用��
  這些特點(diǎn)使得 SE5015T-R 成為許多功率管理�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

SE5015T-R 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和初級(jí)�(cè)開關(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件,用于電壓調(diào)節(jié)和功率轉(zhuǎn)換�
  3. �(fù)載開�(guān),用于控制電路中不同�(fù)載的供電狀�(tài)�
  4. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
  5. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如智能手機(jī)、平板電�、筆記本電腦適配器等的電源管理部��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  SE5015T-R 的高性能和靈活性使其成為眾多功率敏感型�(yīng)用的核心組件�

替代型號(hào)

AO3400, FDS6670A, IRF7442

se5015t-r推薦供應(yīng)� 更多>

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