SE5015T-R 是一款基于硅技�(shù)的高效能功率 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor�,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)特性和高可靠�,非常適合用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和負(fù)載開�(guān)等場景�
SE5015T-R 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是優(yōu)化功耗表�(xiàn)和系�(tǒng)效率,同�(shí)提供卓越的熱性能以支持緊湊型�(shè)�(jì)。其封裝形式� SOT-23,適合表面貼裝工�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高性能的需求�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電� V_DS�30V
最大柵源電� V_GS:�20V
連續(xù)漏極電流 I_D�2.4A
�(dǎo)通電� R_DS(on)�85mΩ (典型�,在 V_GS=10V �(shí))
總柵極電� Q_g�7nC
輸入電容 Ciss�90pF
輸出電容 Coff�18pF
反向傳輸電容 Crss�3pF
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
SE5015T-R 具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� R_DS(on),可顯著降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用,減少開關(guān)損��
3. 小型封裝 SOT-23,適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)��
4. 高可靠性和�(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)正常�(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電子�(chǎn)品中�
6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)抗靜電能�,提升器件耐用��
這些特點(diǎn)使得 SE5015T-R 成為許多功率管理�(yīng)用的理想選擇�
SE5015T-R 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和初級(jí)�(cè)開關(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件,用于電壓調(diào)節(jié)和功率轉(zhuǎn)換�
3. �(fù)載開�(guān),用于控制電路中不同�(fù)載的供電狀�(tài)�
4. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
5. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如智能手機(jī)、平板電�、筆記本電腦適配器等的電源管理部��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
SE5015T-R 的高性能和靈活性使其成為眾多功率敏感型�(yīng)用的核心組件�
AO3400, FDS6670A, IRF7442