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SE5VLVBN102 發(fā)布時間 時間�2025/5/21 13:59:40 查看 閱讀�23

SE5VLVBN102 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)�、負載切換等�(lǐng)��
  該型號具有出色的熱性能和電氣特�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對效率和可靠性的要求�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�2A
  �(dǎo)通電阻:45mΩ
  總功耗:1.3W
  �(jié)溫范圍:-55� � 150�

特�

SE5VLVBN102 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低功率損��
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用�
  3. 較小的封裝尺�,節(jié)� PCB 空間�
  4. 強大的抗靜電能力 (ESD),提高可靠性�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保設(shè)��
  6. 良好的熱�(wěn)定性和耐久性,適應(yīng)惡劣工作�(huán)��

�(yīng)�

該元器件適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電池保護電路和負載開�(guān)�
  3. 電機控制和驅(qū)動電��
  4. LED �(qū)動器和背光調(diào)節(jié)�
  5. 各種消費類電子產(chǎn)品中的信號切換功能�
  其緊湊的�(shè)計和高效性能使其成為眾多�(yīng)用的理想選擇�

替代型號

IRLZ44N, SI2302DS

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