SE5VUBN062 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET,廣泛應用于開關電源、DC-DC 轉換�、電機驅動以及負載開關等場景。該器件采用先進的半導體工藝制�,具備低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,能夠在高頻應用中提供高效的功率轉換�
SE5VUBN062 的封裝形式通常� TO-252 � SOT-23,具體取決于制造商的設計標�,同時它也支持表面貼裝技� (SMT),方便自動化生產和緊湊設計需��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�2.9A
導通電阻(典型值)�140mΩ
總功耗:860mW
工作結溫范圍�-55°C � +150°C
SE5VUBN062 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,有助于減少傳導損耗并提高效率�
2. 高速開關能�,適用于高頻電路設計�
3. 具備較強的雪崩能力和魯棒�,能夠承受瞬�(tài)電壓沖擊�
4. 小型化封裝設�,節(jié)� PCB 空間�
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
6. 可靠的電氣性能,在惡劣�(huán)境下也能保持�(wěn)定工��
SE5VUBN062 主要用于以下應用場景�
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的同步整��
2. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負載開關�
3. 電機驅動和逆變器電路中的功率開關�
4. 各類保護電路,如過流保護、短路保護�
5. 工業(yè)控制設備中的信號隔離與功率傳��
6. 消費電子產品的充電管理模��
7. 通信設備中的高效功率轉換方案�
AO3400A, FSS138