SE7VFBN102 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于需要高效率和低損耗的�(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適合于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類功率�(zhuǎn)換電路中。其封裝形式通常為小型表面貼裝器件(SMD�,便于在緊湊型設(shè)�(jì)中使用�
SE7VFBN102 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足消�(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備及汽車電子等領(lǐng)�?qū)Ω咝芄β势骷男枨?,同�(shí)提供出色的可靠性和�(wěn)定��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�24A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.9mΩ
總功耗:35W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝類型:LFPAK56
SE7VFBN102 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,支持高�(dá) 24A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,降低開(kāi)�(guān)損耗,特別適合高頻�(yīng)��
4. 寬工作溫度范�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,適用于緊湊型布局�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
這些特性使� SE7VFBN102 成為�(xiàn)代電力電子設(shè)�(jì)中的理想選擇�
SE7VFBN102 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�,包� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,用于保�(hù)和優(yōu)化電池性能�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,特別是在無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控制中�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. 汽車電子系統(tǒng),如車載充電器和 LED 照明�(qū)�(dòng)�
6. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
由于其卓越的性能和可靠性,SE7VFBN102 在多種功率處理場(chǎng)景下表現(xiàn)出色�
IRLZ44N, AO3400A, FDN337N