SELC26F3V4UB 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率電子元�,專為高頻開�(guān)和高能效�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該芯片適用于電源管�、充電器、適配器以及電信和工�(yè)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。其�(nèi)置驅(qū)�(dòng)器和保護(hù)電路,能夠提供快速的開關(guān)速度和出色的熱性能,同�(shí)降低電磁干擾(EMI)。這款 GaN 器件通過�(yōu)化柵極驅(qū)�(dòng)和輸出級(jí)參數(shù),實(shí)�(xiàn)了更低的�(dǎo)通電阻和更高的效��
型號(hào):SELC26F3V4UB
類型:增�(qiáng)� GaN FET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):35 mΩ(典型�,@25°C�
擊穿電壓(BVDSS):650 V
柵極閾值電壓(Vgs(th)):1.5 V ~ 3 V
最大漏極電流(Id):26 A
工作溫度范圍�-55°C ~ +150°C
封裝形式:TO-252 (DPAK)
輸入電容(Ciss):1800 pF
輸出電容(Coss):75 pF
反向恢復(fù)�(shí)間(trr):9 ns
SELC26F3V4UB 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高擊穿電壓:支持高達(dá) 650V 的工作電�,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低�(dǎo)通電阻:在同類產(chǎn)品中表現(xiàn)出優(yōu)異的�(dǎo)通效率,降低功��
3. 快速開�(guān)速度:具備超短的反向恢復(fù)�(shí)間和較低的開�(guān)損�,可�(shí)�(xiàn)更高頻率的操��
4. 集成保護(hù)功能:內(nèi)置過溫保�(hù)和過流保�(hù),提高系�(tǒng)可靠��
5. 小型化封裝:采用 TO-252 封裝,節(jié)� PCB 空間并簡(jiǎn)化散熱設(shè)�(jì)�
6. 寬廣的工作溫度范圍:能夠在極端溫度條件下�(wěn)定運(yùn)�,適�(yīng)各種�(huán)境需��
SELC26F3V4UB 廣泛�(yīng)用于需要高效率和高頻操作的�(lǐng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS):
- PC 和服�(wù)器電�
- 工業(yè)�(shè)備電�
2. 快速充電器�
- USB-PD 充電�
- 消費(fèi)類移�(dòng)�(shè)備充電解決方�
3. 通信�(shè)備:
- 電信基站電源
- �(shù)�(jù)中心供電模塊
4. 工業(yè)自動(dòng)化:
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)
- 可編程邏輯控制器(PLC)電�
5. 新能源:
- 太陽(yáng)能逆變�
- 電動(dòng)車車載充電器
SELC26F4V5UB, SELC28F3V4UB