SENC23T12V2U 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效率功率開關元�,廣泛應用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器以及各類電力電子設備中�
該器件采用增強型 GaN FET 結構設計,具有極低的導通電阻和快速的開關速度,能夠顯著提高系�(tǒng)的功率密度和能效。此�,其封裝形式緊湊,適合對空間要求較高的應用場��
型號:SENC23T12V2U
類型:GaN 功率晶體�
額定電壓�650 V
額定電流�15 A
導通電阻:12 mΩ(典型值)
柵極驅動電壓�4.5 V ~ 6 V
最大工作結溫:175 °C
封裝形式:TO-263-3L
功耗:180 W(最大值)
SENC23T12V2U 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:支持高達 650 V 的工作電�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運��
2. 極低導通電阻:僅為 12 mΩ,減少傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開關性能:具備極短的開關時間,有效降低開關損��
4. 高熱�(wěn)定性:能夠在最� 175°C 的結溫下正常工作,適用于高溫�(huán)��
5. 小型化設計:采用 TO-263-3L 封裝,節(jié)省電路板空間,同時提供良好的散熱性能�
6. 增強� GaN 技術:相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,具有更高的功率密度和更低的寄生電感�
SENC23T12V2U 主要用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS):實�(xiàn)高效、緊湊的設計方案�
2. DC-DC 轉換器:特別適用于需要高頻工作的降壓或升壓轉換器�
3. 電動工具:為無刷直流電機 (BLDC) 提供高效的驅動方案�
4. 新能源汽車:用于車載充電� (OBC) � DC-DC 轉換模塊�
5. 工業(yè)自動化設備:如伺服驅動器、逆變器等功率控制單元�
6. 充電器和適配器:支持快充技�,提升充電效��
SENC23T15V2U, SENC23T12V3U