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SFHG60MQ102 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 9:41:57 查看 閱讀�24

SFHG60MQ102是一種基于硅技�(shù)的高性能MOSFET功率晶體�,主要用于高效率�(kāi)�(guān)�(yīng)用。該器件采用TO-220封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)速度等特�。其�(shè)�(jì)適用于多種工�(yè)和消�(fèi)類電子領(lǐng)域中的電源管理解決方��
  SFHG60MQ102能夠承受較高的電流負(fù)載,并在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定性能。由于其卓越的熱特性和電氣參數(shù),該晶體管非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和�(yán)格溫控的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

型號(hào):SFHG60MQ102
  類型:N-Channel MOSFET
  封裝:TO-220
  漏源極擊穿電壓(Vds):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):100A
  柵極-源極電壓(Vgs):±20V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
  功耗(Ptot):180W
  工作溫度范圍(TJ):-55� to +175�
  總電荷(Qg):45nC

特�

SFHG60MQ102的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高電流承載能�,這使其能夠在各種電力電子�(shè)備中�(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)�。此�,它還具備以下優(yōu)�(shì)�
  - 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  - 快速開(kāi)�(guān)速度,可降低�(kāi)�(guān)損�,適合高頻應(yīng)用�
  - 高擊穿電壓(Vds�,確保了在高壓條件下的可靠��
  - �(yōu)秀的熱�(wěn)定性,使得器件即使在極端溫度條件下也能維持良好性能�
  - TO-220封裝提供了良好的散熱性能,便于安裝和使用�
  這些特性使SFHG60MQ102成為眾多高功率密度應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

SFHG60MQ102廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  - �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和直流-直流�(zhuǎn)換器�
  - 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
  - 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
  - 汽車(chē)電子中的�(fù)載切換和電池管理系統(tǒng)�
  - 電信�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
  - 各種高電流開(kāi)�(guān)�(yīng)�,例如LED�(qū)�(dòng)器和家用電器控制��
  總之,任何需要高效功率處理和可靠�(kāi)�(guān)功能的場(chǎng)合都可以考慮使用SFHG60MQ102�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP100N10
  FDP150N10B
  IXTP14N50Q

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