時間：2025/4/28 10:48:35
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SGP10N60RUFDTU是一款高壓超結(jié)MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)設(shè)計(jì)，適用于高頻開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。這款器件以其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度而聞名，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能耗。
該型號中的關(guān)鍵特征包括其耐壓能力達(dá)到600V，使其適合高電壓環(huán)境下的工作需求；同時具備極低的導(dǎo)通電阻（通常在幾百毫歐級別），有助于減少導(dǎo)通損耗。此外，SGP10N60RUFDTU優(yōu)化了柵極電荷參數(shù)，從而進(jìn)一步提升了開關(guān)性能。
類型：MOSFET
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：10A
導(dǎo)通電阻：45mΩ（典型值）
總柵極電荷：75nC
輸入電容：2100pF
封裝形式：TO-247
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
1. 超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的平衡。
2. 極低的導(dǎo)通電阻確保更小的傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)特性支持高頻應(yīng)用。
4. 優(yōu)化的柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)簡化了電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
5. 高可靠性設(shè)計(jì)適用于工業(yè)級和汽車級應(yīng)用。
6. 提供出色的熱性能，能夠有效散熱以適應(yīng)嚴(yán)苛的工作條件。
7. 具備ESD保護(hù)功能，增強(qiáng)器件魯棒性。
1. 開關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)中的主開關(guān)管。
2. 電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中的功率級元件。
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. LED驅(qū)動電源中的高效功率管理元件。
5. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)組件。
6. 電動車充電站以及相關(guān)電力電子設(shè)備中的核心功率元件。
STP10NM60, IRFP460, FQA14P120
