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SGP10N60RUFDTU 發(fā)布時間 時間:2025/4/28 10:48:35 查看 閱讀:29

SGP10N60RUFDTU是一款高壓超結(jié)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)設(shè)計(jì),適用于高頻開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。這款器件以其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度而聞名,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能耗。
  該型號中的關(guān)鍵特征包括其耐壓能力達(dá)到600V,使其適合高電壓環(huán)境下的工作需求;同時具備極低的導(dǎo)通電阻(通常在幾百毫歐級別),有助于減少導(dǎo)通損耗。此外,SGP10N60RUFDTU優(yōu)化了柵極電荷參數(shù),從而進(jìn)一步提升了開關(guān)性能。

參數(shù)

類型:MOSFET
  最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流:10A
  導(dǎo)通電阻:45mΩ(典型值)
  總柵極電荷:75nC
  輸入電容:2100pF
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃

特性

1. 超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的平衡。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻確保更小的傳導(dǎo)損耗。
  3. 快速開關(guān)特性支持高頻應(yīng)用。
  4. 優(yōu)化的柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)簡化了電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
  5. 高可靠性設(shè)計(jì)適用于工業(yè)級和汽車級應(yīng)用。
  6. 提供出色的熱性能,能夠有效散熱以適應(yīng)嚴(yán)苛的工作條件。
  7. 具備ESD保護(hù)功能,增強(qiáng)器件魯棒性。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的主開關(guān)管。
  2. 電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中的功率級元件。
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  4. LED驅(qū)動電源中的高效功率管理元件。
  5. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)組件。
  6. 電動車充電站以及相關(guān)電力電子設(shè)備中的核心功率元件。

替代型號

STP10NM60, IRFP460, FQA14P120

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sgp10n60rufdtu參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)2.8V @ 15V,10A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)16A
  • 功率 - 最大75W
  • 輸入類型標(biāo)準(zhǔn)型
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220
  • 包裝管件
  • 其它名稱SGP10N60RUFDTU-NDSGP10N60RUFDTUFS