SI1002-E-GM2R是一款高性能的硅基功率MOSFET,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用和電源管理�(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠在高效率下�(yùn)�。其封裝形式為TO-252,適合表面貼裝技�(shù)(SMT),能夠有效減少寄生電感并提升散熱性能�
該型�(hào)廣泛用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電池充電器、LED�(qū)�(dòng)器以及其他需要高效能開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�2.9A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷�7nC
開關(guān)頻率�5MHz
�(jié)溫范圍:-55� to 150�
SI1002-E-GM2R具備卓越的電氣性能,包括但不限于低�(dǎo)通電阻以降低功�,以及快速開�(guān)能力以支持高頻應(yīng)用。此�,該器件還具有出色的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能�,能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境下保持可靠�(yùn)��
其緊湊型封裝�(shè)�(jì)有助于簡(jiǎn)化電路板布局,并且與傳統(tǒng)通孔元件相比,可顯著節(jié)省空��
由于采用了優(yōu)化的芯片�(jié)�(gòu)和封裝材�,SI1002-E-GM2R在高溫下的表�(xiàn)依然�(yōu)�,從而擴(kuò)大了其適用范��
這款MOSFET非常適合用作同步整流�、降壓或升壓�(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件,同�(shí)也可以作為負(fù)載開�(guān)或保�(hù)電路的一部分。在消費(fèi)電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域中,SI1002-E-GM2R憑借其高效率和可靠性成為理想選��
典型�(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于USB充電�、適配器、筆記本電腦電源、智能家居產(chǎn)品等�
SI1003-E-GM2R
IRLML6402
FDS6680