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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI1022R-T1-GE3

SI1022R-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2023/6/7 11:03:20 查看 閱讀�373

產品種類:MOSFET小信�

目錄

概述

制造商:Vishay

產品種類:MOSFET小信�

RoHS:是

配置:Single

晶體管極性:N-Channel

汲極/源極擊穿電壓�60V

�/源擊穿電壓:+/-20V

漏極連續(xù)電流�0.33A

功率耗散�250mW

最大工作溫度:+150�

安裝風格:SMD/SMT

封裝/箱體:SC-75A-3

封裝:Reel

最小工作溫度:-55�

資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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si1022r-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.25 歐姆 @ 500mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds30pF @ 25V
  • 功率 - 最�250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-75A
  • 供應商設備封�SC-75A
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI1022R-T1-GE3TR