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SI1024X-T1-GE3
時間:2023/6/7 11:03:03
閱讀:332
概述
制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET小信號
RoHS:是
配置:Dual
晶體管極性:N-Channel
汲極/源極擊穿電壓:20V
閘/源擊穿電壓:+/-6V
漏極連續(xù)電流:0.485A
功率耗散:280mW
最大工作溫度:+150℃
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOT-563-6
封裝:Reel
最小工作溫度:-55℃
資料
廠商 |
---|
VISHAY |
Vishay Semiconductors |
si1024x-t1-ge3推薦供應(yīng)商
更多>
- 產(chǎn)品型號
- 供應(yīng)商
- 數(shù)量
- 廠商
- 封裝/批號
- 詢價
- SI1024X-T1-GE3
- 深圳誠思涵科技有限公司
- 6740
- VISHAY/支持實單
- 2023+/SOT563
-
si1024x-t1-ge3相關(guān)型號推薦
si1024x-t1-ge3參數(shù)
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
- 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭FET - 陣列
- 系列-
- FET 型2 個 N 溝道(雙)
- FET 特點邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)20V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C485mA
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C700 毫歐 @ 600mA,4.5V
- Id 時的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
- 閘電荷(Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
- 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
- 功率 - 最大250mW
- 安裝類型表面貼裝
- 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-89-6
- 包裝帶卷 (TR)
- 其它名稱SI1024X-T1-GE3TR