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SI1024X-T1-GE3 發(fā)布時間 時間：2023/6/7 11:03:03 查看 閱讀：332

產(chǎn)品種類：MOSFET小信號

目錄

概述

制造商：Vishay

產(chǎn)品種類：MOSFET小信號

RoHS：是

配置：Dual

晶體管極性：N-Channel

汲極/源極擊穿電壓：20V

閘/源擊穿電壓：+/-6V

漏極連續(xù)電流：0.485A

功率耗散：280mW

最大工作溫度：+150℃

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

封裝/箱體：SOT-563-6

封裝：Reel

最小工作溫度：-55℃

資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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si1024x-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型2 個 N 溝道（雙）
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C485mA
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C700 毫歐 @ 600mA，4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）900mV @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563，SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-89-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI1024X-T1-GE3TR