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SI1029X-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2023/6/7 11:01:48 查看 閱讀:322

產(chǎn)品種類:MOSFET小信號(hào)

目錄

概述

制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET小信號(hào)

RoHS:是

配置:Dual

晶體管極性:NandP-Channel

汲極/源極擊穿電壓:60V

閘/源擊穿電壓:+/-20V

漏極連續(xù)電流:0.305A

功率耗散:250mW

最大工作溫度:+150℃

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝/箱體:SC-89-6

封裝:Reel

最小工作溫度:-55℃

資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

si1029x-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si1029x-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C305mA,190mA
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 歐姆 @ 500mA,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-89-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI1029X-T1-GE3TR