国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好，歡迎來(lái)到維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置：電子元器件采購(gòu)網(wǎng) > IC百科 > SI1029X-T1-GE3

SI1029X-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/6/7 11:01:48 查看 閱讀：322

產(chǎn)品種類：MOSFET小信號(hào)

目錄

概述

制造商：Vishay

產(chǎn)品種類：MOSFET小信號(hào)

RoHS：是

配置：Dual

晶體管極性：NandP-Channel

汲極/源極擊穿電壓：60V

閘/源擊穿電壓：+/-20V

漏極連續(xù)電流：0.305A

功率耗散：250mW

最大工作溫度：+150℃

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

封裝/箱體：SC-89-6

封裝：Reel

最小工作溫度：-55℃

資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

si1029x-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si1029x-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C305mA，190mA
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C1.4 歐姆 @ 500mA，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563，SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-89-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI1029X-T1-GE3TR