SI1034X-T1-GE3
�(shí)間:2023/6/7 11:01:24
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概述
制造商:Vishay
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
配置:Dual
晶體管極性:N-Channel
汲極/源極擊穿電壓�20V
�/源擊穿電壓:+/-5V
漏極連續(xù)電流�0.18A
功率耗散�250mW
最大工作溫度:+150�
安裝�(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:SC-89-6
封裝:Reel
最小工作溫度:-55�
資料
廠商 |
---|
VISHAY |
Vishay Semiconductors |
si1034x-t1-ge3推薦供應(yīng)�
更多>
- �(chǎn)品型�
- 供應(yīng)�
- �(shù)�
- 廠商
- 封裝/批號
- 詢價(jià)
- SI1034X-T1-GE3
- 深圳市華盛錦科技有限公司
- 36500
- VISHAY/威世
- 22+/SC896SOT563F
-
- SI1034X-T1-GE3
- 深圳中和芯電子有限公�
- 65428
- VISHAY
- 22+/SC896(SOT563F)
-
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si1034x-t1-ge3參數(shù)
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- 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
- 家庭FET - 陣列
- 系列-
- FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
- FET 特點(diǎn)邏輯電平門
- 漏極至源極電�(Vdss)20V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C180mA
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 歐姆 @ 200mA�4.5V
- Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
- 閘電�(Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
- 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
- 功率 - 最�250mW
- 安裝類型表面貼裝
- 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
- 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-89-6
- 包裝帶卷 (TR)
- 其它名稱SI1034X-T1-GE3TR