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SI1054X-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/6/7 10:59:30 查看 閱讀：267

制造商：Vishay

目錄

概述

制造商：Vishay

產(chǎn)品種類：MOSFET小信號(hào)

RoHS：是

配置：SingleQuadDrain

晶體管極性：N-Channel

汲極/源極擊穿電壓：12V

閘/源擊穿電壓：+/-8V

漏極連續(xù)電流：1.32A

功率耗散：236mW

最大工作溫度：+150℃

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

封裝/箱體：SC-89-6

封裝：Reel

最小工作溫度：-55℃

資料

廠商
VISHAY

si1054x-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si1054x-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C95 毫歐 @ 1.32A，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs8.57nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds480pF @ 6V
  • 功率 - 最大236mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563，SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-89-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI1054X-T1-GE3TR