型號(hào)：SI1083-A-GMR
　　類(lèi)型：N-Channel MOSFET
　　封裝：GMR
　　Vds（漏源極電壓）：60V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：4.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
　　Id（連續(xù)漏極電流）：50A
　　柵極電荷（Qg）：12nC
　　總功耗：15W
　　工作溫度范圍：-55℃ to +175℃

SI1083-A-GMR 具有出色的電氣性能和可靠性，主要特點(diǎn)如下：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，能夠有效降低功率損耗。
　　2. 高電流處理能力，支持高達(dá) 50A 的連續(xù)漏極電流。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)特性，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　4. 小型化 GMR 封裝設(shè)計(jì)，有助于節(jié)省 PCB 空間。
　　5. 廣泛的工作溫度范圍，能夠在極端條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　6. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，提高系統(tǒng)抗干擾能力。
　　這些特性使得 SI1083-A-GMR 成為高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。

SI1083-A-GMR 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 便攜式電子設(shè)備中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 筆記本電腦及平板電腦的電源管理系統(tǒng)。
　　3. 汽車(chē)電子中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
　　5. 高效能 LED 驅(qū)動(dòng)電路。
　　由于其優(yōu)異的性能和可靠性，該芯片在各種高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出色。

SI1083DG-E3-GMR
　　IRF3205
　　FDP5570N
　　AON6219