SI1083-A-GMR 是一款基于硅技術(shù)的高性能 MOSFET 開(kāi)關(guān)芯片,采用 GMR(Giant Magnetoresistance)封裝技術(shù)。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和良好的熱性能,適用于多種電源管理場(chǎng)景,包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。其設(shè)計(jì)旨在優(yōu)化效率并減少功率損耗。
型號(hào):SI1083-A-GMR
類(lèi)型:N-Channel MOSFET
封裝:GMR
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):4.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
Id(連續(xù)漏極電流):50A
柵極電荷(Qg):12nC
總功耗:15W
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
SI1083-A-GMR 具有出色的電氣性能和可靠性,主要特點(diǎn)如下:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),能夠有效降低功率損耗。
2. 高電流處理能力,支持高達(dá) 50A 的連續(xù)漏極電流。
3. 快速開(kāi)關(guān)特性,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
4. 小型化 GMR 封裝設(shè)計(jì),有助于節(jié)省 PCB 空間。
5. 廣泛的工作溫度范圍,能夠在極端條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,提高系統(tǒng)抗干擾能力。
這些特性使得 SI1083-A-GMR 成為高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。
SI1083-A-GMR 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 便攜式電子設(shè)備中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 筆記本電腦及平板電腦的電源管理系統(tǒng)。
3. 汽車(chē)電子中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
5. 高效能 LED 驅(qū)動(dòng)電路。
由于其優(yōu)異的性能和可靠性,該芯片在各種高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出色。
SI1083DG-E3-GMR
IRF3205
FDP5570N
AON6219