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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI1307EDL-T1-GE3

SI1307EDL-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 22:00:29 查看 閱讀�11

SI1307EDL-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型化封裝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于各種功率�(zhuǎn)�、負載切換以及電機驅(qū)動等�(yīng)�。此型號特別適合需要高效能和緊湊設(shè)計的場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�4.8A
  �(dǎo)通電阻:35mΩ
  柵極電荷�9nC
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
  封裝類型:TSOP6

特�

SI1307EDL-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低功率損��
  2. 快速開�(guān)性能,能夠支持高頻操�,提升系�(tǒng)效率�
  3. 小型 TSOP6 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合便攜式�(shè)��
  4. 高電流承載能�,適用于多種功率級別的應(yīng)��
  5. 提供�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代化生產(chǎn)要求�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電池保護電路及負載切換�
  4. 消費類電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
  5. 小型電機�(qū)動與控制�
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離和功率傳輸�

替代型號

SI1306EDL-T1-GE3, SI1308EDL-T1-GE3

si1307edl-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si1307edl-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C850mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C290 毫歐 @ 1A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�290mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-70,SOT-323
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-70-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI1307EDL-T1-GE3TR