時間：2025/5/7 15:01:50
閱讀：23
SI1403BDL-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件采用小型化的封裝設(shè)計，適用于高頻開關(guān)和功率管理應(yīng)用。由于其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，它在電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)和電池管理等場景中表現(xiàn)優(yōu)異。
這款 MOSFET 使用了 Vishay 的先進制造工藝，能夠在高效率和低損耗的條件下運行。其工作電壓范圍較寬，能夠適應(yīng)多種電路需求，同時具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性。
最大漏源電壓：30V
最大柵源電壓：±8V
連續(xù)漏極電流：3.6A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：75mΩ
柵極電荷：9nC
開關(guān)速度：快速
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
封裝類型：DFN1006-2 (SC-79)
SI1403BDL-T1-E3 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用。
3. 小尺寸封裝，非常適合空間受限的設(shè)計。
4. 高度可靠的電氣和熱性能，確保長期穩(wěn)定運行。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的要求。
6. 支持表面貼裝技術(shù)（SMT），便于自動化生產(chǎn)。
這些特性使得該器件成為便攜式電子產(chǎn)品、通信設(shè)備和消費類電子的理想選擇。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
3. 各類負載開關(guān)和保護電路。
4. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制。
5. 移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的電源管理。
6. 數(shù)據(jù)通信接口的保護與控制。
由于其高性能和小尺寸特點，SI1403BDL-T1-E3 在需要高效能和緊湊設(shè)計的應(yīng)用中具有明顯優(yōu)勢。
SI1404BDL-T1-E3, SI1405BDL-T1-E3
