国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置:電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI1403BDL-T1-E3

SI1403BDL-T1-E3 發(fā)布時間 時間:2025/5/7 15:01:50 查看 閱讀:23

SI1403BDL-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型化的封裝設(shè)計,適用于高頻開關(guān)和功率管理應(yīng)用。由于其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,它在電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)和電池管理等場景中表現(xiàn)優(yōu)異。
  這款 MOSFET 使用了 Vishay 的先進制造工藝,能夠在高效率和低損耗的條件下運行。其工作電壓范圍較寬,能夠適應(yīng)多種電路需求,同時具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流:3.6A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):75mΩ
  柵極電荷:9nC
  開關(guān)速度:快速
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝類型:DFN1006-2 (SC-79)

特性

SI1403BDL-T1-E3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用。
  3. 小尺寸封裝,非常適合空間受限的設(shè)計。
  4. 高度可靠的電氣和熱性能,確保長期穩(wěn)定運行。
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的要求。
  6. 支持表面貼裝技術(shù)(SMT),便于自動化生產(chǎn)。
  這些特性使得該器件成為便攜式電子產(chǎn)品、通信設(shè)備和消費類電子的理想選擇。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  3. 各類負載開關(guān)和保護電路。
  4. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制。
  5. 移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的電源管理。
  6. 數(shù)據(jù)通信接口的保護與控制。
  由于其高性能和小尺寸特點,SI1403BDL-T1-E3 在需要高效能和緊湊設(shè)計的應(yīng)用中具有明顯優(yōu)勢。

替代型號

SI1404BDL-T1-E3, SI1405BDL-T1-E3

si1403bdl-t1-e3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si1403bdl-t1-e3資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

si1403bdl-t1-e3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 1.5A,4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大568mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-70-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI1403BDL-T1-E3TR