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時(shí)間：2025/4/28 12:47:20
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SI1407BDL-T1-E3 是一款由 Vishay 推出的 N 沱道硅功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），采用小型化的 SOT-23 封裝形式。該器件主要設(shè)計(jì)用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用，具備較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度。它適用于需要高效率和緊湊設(shè)計(jì)的電子電路中。
由于其出色的性能參數(shù)和封裝優(yōu)勢(shì)，SI1407BDL-T1-E3 在消費(fèi)電子、工業(yè)控制和通信設(shè)備等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。
型號(hào)：SI1407BDL-T1-E3
類型：N 溝道 MOSFET
封裝：SOT-23
最大漏源電壓（VDS）：30 V
最大柵源電壓（VGS）：±20 V
連續(xù)漏極電流（ID）：1.8 A
導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：75 mΩ（典型值，在 VGS = 4.5V 時(shí)）
柵極電荷（Qg）：4 nC（典型值）
工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)特性，適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 小型化 SOT-23 封裝，節(jié)省 PCB 空間。
4. 高靜電放電（ESD）保護(hù)能力，增強(qiáng)器件可靠性。
5. 寬工作溫度范圍，適應(yīng)各種環(huán)境條件。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
7. 具備良好的熱穩(wěn)定性，確保在高溫下的可靠運(yùn)行。
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件。
3. 負(fù)載開關(guān)和過流保護(hù)電路。
4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的開關(guān)控制。
5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器電路。
6. 手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備中的電源管理。
7. 工業(yè)自動(dòng)化和通信設(shè)備中的信號(hào)切換。
SI1408BDL-T1-E3, SI1409BDL-T1-E3
