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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI1407BDL-T1-E3

SI1407BDL-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 12:47:20 查看 閱讀�29

SI1407BDL-T1-E3 是一款由 Vishay 推出� N 沱道硅功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,采用小型化� SOT-23 封裝形式。該器件主要�(shè)�(jì)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用,具備較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度。它適用于需要高效率和緊湊設(shè)�(jì)的電子電路中�
  由于其出色的性能參數(shù)和封裝優(yōu)�(shì),SI1407BDL-T1-E3 在消�(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備等�(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)��

參數(shù)

型號(hào):SI1407BDL-T1-E3
  類型:N 溝道 MOSFET
  封裝:SOT-23
  最大漏源電壓(VDS):30 V
  最大柵源電壓(VGS):±20 V
  連續(xù)漏極電流(ID):1.8 A
  �(dǎo)通電阻(RDS(on)):75 mΩ(典型�,在 VGS = 4.5V �(shí)�
  柵極電荷(Qg):4 nC(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)特�,適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
  3. 小型� SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  4. 高靜電放電(ESD)保�(hù)能力,增�(qiáng)器件可靠��
  5. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)各種�(huán)境條��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  7. 具備良好的熱�(wěn)定性,確保在高溫下的可靠運(yùn)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件�
  3. �(fù)載開�(guān)和過流保�(hù)電路�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的開�(guān)控制�
  5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器電��
  6. 手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備中的電源管��
  7. 工業(yè)自動(dòng)化和通信�(shè)備中的信�(hào)切換�

替代型號(hào)

SI1408BDL-T1-E3, SI1409BDL-T1-E3

si1407bdl-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)