SI1417DH是來自Vishay Siliconix的一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用微型DFN2020-6L封裝,具有極低的導通電阻和�(yōu)異的開關(guān)性能,非常適合用于便攜式�(shè)備、負載開�(guān)、電池管理以及DC/DC�(zhuǎn)換等應用�
SI1417DH在設(shè)計上針對低電壓應用進行了優(yōu)�,能夠在較低的柵極驅(qū)動電壓下提供出色的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�3.9A
導通電阻(Rds(on)):150mΩ @ Vgs=4.5V
柵極電荷�1.8nC
輸入電容�100pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
SI1417DH具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻,可有效降低功率損耗�
2. 小型化封裝(DFN2020-6L�,有助于節(jié)省電路板空間�
3. 在低柵極�(qū)動電壓下表現(xiàn)出色,適合鋰電池供電的便攜式�(shè)備�
4. 超低柵極電荷,確??焖匍_�(guān)能力�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鹵素材料使��
6. 提供可靠的ESD保護性能�
SI1417DH適用于廣泛的電子應用�(lǐng)域,包括但不限于�
1. 手機和其他便攜式消費類電子產(chǎn)品中的負載開�(guān)�
2. 鋰電池保護和充電管理電路�
3. DC/DC�(zhuǎn)換器中的同步整流開關(guān)�
4. 高效電機�(qū)動控制�
5. 信號切換和電源路徑管��
6. 各種需要小型化和高效能的電路設(shè)計場景�
SI2328DS, SI1420DH