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SI1417DH 發(fā)布時間 時間:2025/5/19 11:46:59 查看 閱讀:18

SI1417DH是來自Vishay Siliconix的一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用微型DFN2020-6L封裝,具有極低的導通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能,非常適合用于便攜式設(shè)備、負載開關(guān)、電池管理以及DC/DC轉(zhuǎn)換等應用。
  SI1417DH在設(shè)計上針對低電壓應用進行了優(yōu)化,能夠在較低的柵極驅(qū)動電壓下提供出色的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:3.9A
  導通電阻(Rds(on)):150mΩ @ Vgs=4.5V
  柵極電荷:1.8nC
  輸入電容:100pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

SI1417DH具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電阻,可有效降低功率損耗。
  2. 小型化封裝(DFN2020-6L),有助于節(jié)省電路板空間。
  3. 在低柵極驅(qū)動電壓下表現(xiàn)出色,適合鋰電池供電的便攜式設(shè)備。
  4. 超低柵極電荷,確�?焖匍_關(guān)能力。
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鹵素材料使用。
  6. 提供可靠的ESD保護性能。

應用

SI1417DH適用于廣泛的電子應用領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 手機和其他便攜式消費類電子產(chǎn)品中的負載開關(guān)。
  2. 鋰電池保護和充電管理電路。
  3. DC/DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流開關(guān)。
  4. 高效電機驅(qū)動控制。
  5. 信號切換和電源路徑管理。
  6. 各種需要小型化和高效能的電路設(shè)計場景。

替代型號

SI2328DS, SI1420DH

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