SI1417DH 時間：2025/5/19 11:46:59 閱讀：18

SI1417DH是來自Vishay Siliconix的一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用微型DFN2020-6L封裝，具有極低的導通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能，非常適合用于便攜式設(shè)備、負載開關(guān)、電池管理以及DC/DC轉(zhuǎn)換等應用。
　　SI1417DH在設(shè)計上針對低電壓應用進行了優(yōu)化，能夠在較低的柵極驅(qū)動電壓下提供出色的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：3.9A
　　導通電阻（Rds(on)）：150mΩ @ Vgs=4.5V
　　柵極電荷：1.8nC
　　輸入電容：100pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

SI1417DH具有以下主要特性：
　　1. 極低的導通電阻，可有效降低功率損耗。
　　2. 小型化封裝（DFN2020-6L），有助于節(jié)省電路板空間。
　　3. 在低柵極驅(qū)動電壓下表現(xiàn)出色，適合鋰電池供電的便攜式設(shè)備。
　　4. 超低柵極電荷，確�？焖匍_關(guān)能力。
　　5. 符合RoHS標準，環(huán)保且無鹵素材料使用。
　　6. 提供可靠的ESD保護性能。

應用

SI1417DH適用于廣泛的電子應用領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 手機和其他便攜式消費類電子產(chǎn)品中的負載開關(guān)。
　　2. 鋰電池保護和充電管理電路。
　　3. DC/DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流開關(guān)。
　　4. 高效電機驅(qū)動控制。
　　5. 信號切換和電源路徑管理。
　　6. 各種需要小型化和高效能的電路設(shè)計場景。