SI1904EDH-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET�。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�,旨在降低導通電阻并提高效率。它適用于高密度電源應用和需要高效開關性能的場��
其封裝形式為表面貼裝� DPAK 封裝(TO-263�,能夠提供良好的散熱性能和堅固的電氣連接能力�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻(典型值)�4mΩ
柵極電荷(典型值)�80nC
輸入電容(典型值)�2220pF
功耗:340W
工作溫度范圍�-55� � +175�
SI1904EDH-T1-E3 的主要特點是低導通電�、高電流處理能力和快速開關速度。這些特點使得� MOSFET 非常適合� DC-DC 轉換器、負載開關、電機驅動和多相電源應用中使��
此外,其低導通電阻有助于減少傳導損�,而較低的柵極電荷則提高了開關效率,使其成為高性能電源轉換的理想選擇�
該器件還具備出色的熱�(wěn)定性和抗雪崩能�,能夠在惡劣�(huán)境下可靠運行�
� MOSFET 常用于各種電源管理場�,包括但不限于:
1. 服務器和臺式電腦中的多相 VRM 應用
2. 電信設備中的 DC-DC 轉換
3. 工業(yè)電機控制與驅�
4. 開關模式電源(SMPS�
5. 電池管理和保護電�
6. LED 驅動和汽車電子系統中的功率調節(jié)
SI1905DS, IRF6612, AO6812