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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI1908DL-T1-E3

SI1908DL-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 15:14:17 查看 閱讀�27

SI1908DL 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝,適用于空間受限的設計場�。其低導通電阻和快速開關特性使其成為便攜式電子設備、電池管理電�、負載開關以� DC/DC �(zhuǎn)換器等應用的理想選擇�
  該型� SI1908DL-T1-E3 特別�(yōu)化了性能和可靠�,適合工�(yè)級或擴展溫度范圍的應��

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�1.4A
  導通電阻(典型值)�75mΩ
  柵極電荷�6nC
  工作結溫范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:SOT-23

特�

1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可減少功率損耗并提高效率�
  2. 快速開關速度,支持高頻應用�
  3. 小型 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  4. 寬工作溫度范�,適應各種惡劣環(huán)��
  5. 高雪崩耐量能力,增強了器件的魯棒性�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��

應用

1. 手機和平板電腦中的電源管理模塊�
  2. 筆記本電腦和便攜式設備的電池保護電路�
  3. 開關電源(SMPS)和 DC/DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  4. 負載開關和電機驅(qū)動控��
  5. 信號切換和保護電路�
  6. 工業(yè)控制和自動化系統(tǒng)中的開關應用�

替代型號

SI2302DS, BSS138, FDN340P

si1908dl-t1-e3推薦供應� 更多>

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