SI1965DH 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 旗下品牌)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen II 技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特性,適用于多種高頻開�(guān)�(yīng)用和電源管理場景�
這款 MOSFET 的封裝形式為 SuperSOT-612AC,具備緊湊的尺寸和良好的散熱性能,適合空間受限的�(shè)計環(huán)境。其主要目標(biāo)市場包括消費電子、通信�(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)域的高效能轉(zhuǎn)換電路�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�4.8A
�(dǎo)通電阻:45mΩ
柵極電荷�7nC
工作溫度范圍�-55� � 150�
總功耗:1.2W
SI1965DH 具備較低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,使其在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率和熱性能�
由于采用了先進的 TrenchFET 工藝,該器件能夠在保證低 Rds(on) 的同時保持較高的電流承載能力�
SuperSOT-612AC 封裝不僅提供了良好的電氣性能,還能夠簡化 PCB 布局�(shè)計,并減少寄生電感的影響�
此外,其寬廣的工作溫度范圍確保了 SI1965DH 在極端條件下的可靠�,非常適合需要長期穩(wěn)定運行的�(yīng)用場景�
SI1965DH 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)動以及電池供電設(shè)備的功率管理模塊中�
它也常被用作同步整流 MOSFET,在降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中提供高效的開關(guān)性能�
此外,這款器件還可用于 LED �(qū)動電�、便攜式電子�(shè)備的充電管理電路以及通信系統(tǒng)中的信號�(diào)節(jié)電路等場��
SI1966DP, SI1972DS, IRF7828TRPBF