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SI2300 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/20 20:04:13 查看 閱讀：25

SI2300是Vishay Siliconix公司推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體管。該器件采用了先進(jìn)的TrenchFET技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻和極高的開(kāi)關(guān)速度，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。
　　其封裝形式為SO-8，這種小型化封裝有助于節(jié)省PCB空間，并且能夠提供良好的散熱性能。此外，SI2300還具有較高的雪崩耐量能力，可以有效保護(hù)電路免受瞬態(tài)電壓沖擊的影響。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：10A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：5mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
　　總柵極電荷：7nC
　　輸入電容：490pF
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃

特性

SI2300具備以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)特性，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了產(chǎn)品的魯棒性和可靠性。
　　4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
　　5. SO-8封裝體積小，易于集成到緊湊型設(shè)計(jì)中。
　　這些特點(diǎn)使得SI2300非常適合用于高效能開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)以及電信設(shè)備等領(lǐng)域。

應(yīng)用

SI2300主要應(yīng)用于以下幾個(gè)方面：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)元件。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或主開(kāi)關(guān)。
　　3. 負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路中的控制元件。
　　4. 便攜式電子設(shè)備中的電池管理模塊。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的信號(hào)調(diào)節(jié)與功率傳輸。
　　由于其高效的性能和可靠性，這款MOSFET在需要高效率、小尺寸解決方案的應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出。

替代型號(hào)

SI2301DS, IRF7832, FDP5500

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