SI2301BDS 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用小尺寸封裝(TSOT23-3),具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,適用于多種功率管理�(yīng)�,如�(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器和便攜式�(shè)備中的電源管理電�。其出色的性能和緊湊的�(shè)�(jì)使其成為需要高效能和節(jié)省空間的�(yīng)用的理想選擇�
該型�(hào)具體� SI2301BDS-T1-E3,其� -T1 表示包裝形式為卷帶封��-E3 表示符合 Vishay �(nèi)部質(zhì)量標(biāo)�(zhǔn)的一種等�(jí)�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):75mΩ(在 Vgs=4.5V �(shí)�
柵極電荷�3.5nC(典型值)
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=9ns,toff=16ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
封裝類型:TSOT23-3
1. 高效功率�(kāi)�(guān):具備低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和低柵極電荷 (Qg),能夠減少導(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損��
2. 小型化設(shè)�(jì):采� TSOT23-3 封裝,適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)景�
3. 快速開(kāi)�(guān)能力:短�(kāi)�(guān)�(shí)間和低柵極電荷使得器件非常適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):支持高�(dá) 150°C 的結(jié)�,保證了高溫�(huán)境下的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保材�,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的綠色要求�
1. 手機(jī)和其他便攜式�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器� POL(Point of Load)轉(zhuǎn)換器�
3. 電池供電�(shè)備的電源管理�
4. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的次級(jí)�(cè)同步整流�
5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和保�(hù)電路�
6. 各種低電�、大電流的開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
SI2302DS, SI2303DS, BSS138