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SI2301BDS-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/30 15:33:28 查看 閱讀：30

SI2301BDS 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用小尺寸封裝（TSOT23-3），具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度，適用于多種功率管理應(yīng)用，如負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和便攜式設(shè)備中的電源管理電路。其出色的性能和緊湊的設(shè)計(jì)使其成為需要高效能和節(jié)省空間的應(yīng)用的理想選擇。
　　該型號(hào)具體為 SI2301BDS-T1-E3，其中 -T1 表示包裝形式為卷帶封裝，-E3 表示符合 Vishay 內(nèi)部質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的一種等級(jí)。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　最大柵源電壓：±8V
　　連續(xù)漏極電流：1.8A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：75mΩ（在 Vgs=4.5V 時(shí)）
　　柵極電荷：3.5nC（典型值）
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：ton=9ns，toff=16ns（典型值）
　　工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +150°C
　　封裝類型：TSOT23-3

特性

1. 高效功率開(kāi)關(guān)：具備低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和低柵極電荷 (Qg)，能夠減少導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。
　　2. 小型化設(shè)計(jì)：采用 TSOT23-3 封裝，適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)能力：短開(kāi)關(guān)時(shí)間和低柵極電荷使得器件非常適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
　　4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：支持高達(dá) 150°C 的結(jié)溫，保證了高溫環(huán)境下的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)：環(huán)保材料，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的綠色要求。

應(yīng)用

1. 手機(jī)和其他便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 POL（Point of Load）轉(zhuǎn)換器。
　　3. 電池供電設(shè)備的電源管理。
　　4. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的次級(jí)側(cè)同步整流。
　　5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路。
　　6. 各種低電壓、大電流的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

替代型號(hào)

SI2302DS, SI2303DS, BSS138

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si2301bds-t1-e3參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表SI2301BDS
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.2A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 2.8A，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）950mV @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds375pF @ 6V
  • 功率 - 最大700mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23-3（TO-236）
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2301BDS-T1-E3TR