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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI2301BDS-T1-E3

SI2301BDS-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 15:33:28 查看 閱讀�30

SI2301BDS 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用小尺寸封裝(TSOT23-3),具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,適用于多種功率管理�(yīng)�,如�(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器和便攜式�(shè)備中的電源管理電�。其出色的性能和緊湊的�(shè)�(jì)使其成為需要高效能和節(jié)省空間的�(yīng)用的理想選擇�
  該型�(hào)具體� SI2301BDS-T1-E3,其� -T1 表示包裝形式為卷帶封��-E3 表示符合 Vishay �(nèi)部質(zhì)量標(biāo)�(zhǔn)的一種等�(jí)�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�1.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):75mΩ(在 Vgs=4.5V �(shí)�
  柵極電荷�3.5nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=9ns,toff=16ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
  封裝類型:TSOT23-3

特�

1. 高效功率�(kāi)�(guān):具備低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和低柵極電荷 (Qg),能夠減少導(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損��
  2. 小型化設(shè)�(jì):采� TSOT23-3 封裝,適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)景�
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力:短�(kāi)�(guān)�(shí)間和低柵極電荷使得器件非常適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):支持高�(dá) 150°C 的結(jié)�,保證了高溫�(huán)境下的可靠��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保材�,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的綠色要求�

�(yīng)�

1. 手機(jī)和其他便攜式�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器� POL(Point of Load)轉(zhuǎn)換器�
  3. 電池供電�(shè)備的電源管理�
  4. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的次級(jí)�(cè)同步整流�
  5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和保�(hù)電路�
  6. 各種低電�、大電流的開(kāi)�(guān)�(yīng)用�

替代型號(hào)

SI2302DS, SI2303DS, BSS138

si2301bds-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2301bds-t1-e3資料 更多>

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si2301bds-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI2301BDS
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.2A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 2.8A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)950mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds375pF @ 6V
  • 功率 - 最�700mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2301BDS-T1-E3TR