SI2301BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用小外形晶體管封裝(SOT-23�,適用于各種低功耗應(yīng)用場合。它具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和出色的電流處理能力,使其非常適合于便攜式設(shè)�、電源管理電路和信號切換等應(yīng)��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.4A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.57Ω
總柵極電荷:3nC
開關(guān)時間:開啟延遲時� 6ns,關(guān)斷延遲時� 4ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
SI2301BDS-T1-GE3 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 低導(dǎo)通電阻:在較低的 Vgs 下仍然能夠保持較低的 Rds(on),從而減少導(dǎo)通損��
2. 快速開�(guān)性能:由于其較低的總柵極電荷和快速的開關(guān)時間,可以有效降低開�(guān)損��
3. 小尺寸封裝:采用 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合緊湊型�(shè)��
4. 高可靠性:符合工業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的高可靠性要求,能夠在惡劣環(huán)境下正常工作�
5. 寬工作溫度范圍:支持� -55°C � +150°C 的溫度范�,適�(yīng)多種�(yīng)用環(huán)��
6. 反向傳輸電容低:有助于減少開�(guān)節(jié)�(diǎn)上的振蕩并提高效��
SI2301BDS-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)動和控制電路�
4. 計算�(jī)外設(shè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切��
6. 便攜式電子產(chǎn)品中� DC/DC �(zhuǎn)換器�
SI2302DS, SI2303DS, BSS138