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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/5/31 1:32:06 查看 閱讀�14

SI2301CDS 是一款由 Vishay 公司生產� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝,適用于需要高效功率切換和低功耗的應用場景。由于其出色的導通電阻特性和快速開關性能,廣泛應用于便攜式設�、計算機外設以及通信系統(tǒng)中的負載開關和電源管理電��
  該型號的后綴 -T1-E3 表示其經過特定測試篩選,符合工業(yè)級標�,并具有一定的電氣特性優(yōu)��

參數

最大漏源電�(Vds)�20V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�1.4A
  導通電�(Rds(on))�75mΩ
  柵極電荷(Qg)�5nC
  工作結溫范圍(Tj)�-55°C � +150°C
  封裝類型:SOT-23

特�

1. 極低的導通電� Rds(on),有助于減少傳導損�,提高整體效��
  2. 快速開關特�,適合高頻應用環(huán)境�
  3. 小型� SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  4. 高靜電放�(ESD)防護能力,增強器件可靠��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  6. 支持表面貼裝技�(SMT),便于自動化生產與組��

應用

1. 便攜式電子設備中的負載開��
  2. USB 和其他接口保護電��
  3. DC/DC 轉換器和降壓電路�
  4. 電池供電設備中的電源管理�
  5. 信號路由和多路復用開��
  6. 工業(yè)控制系統(tǒng)的功率分配模塊�

替代型號

SI2302DS, BSS138, 2N7000

si2301cds-t1-e3推薦供應� 更多>

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si2301cds-t1-e3資料 更多>

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si2301cds-t1-e3參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C112 毫歐 @ 2.8A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds405pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2301CDS-T1-E3-NDSI2301CDS-T1-E3TR