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SI2301CDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2024/5/30 14:19:57 查看 閱讀�494

SI2301CDS-T1-GE3是一種N溝MOSFET晶體�,由Vishay Siliconix生產(chǎn)。它采用了SOT-23封裝,非常適合在低壓�(yīng)用中使用。這款晶體管具有低�(dǎo)通電阻和低開啟電�,可以提供高效的電流控制。它的最大漏極電壓為20V,最大漏極電流為2A,因此適用于許多低功率應(yīng)��
  SI2301CDS-T1-GE3還具有快速開�(guān)速度和低開關(guān)損耗的特點,可以在高頻�(yīng)用中�(fā)揮良好的性能。它的開�(guān)時間非常短,可以實現(xiàn)快速的電流開關(guān)。此�,它還具有低靜態(tài)電流,可以降低系�(tǒng)的功��
  SI2301CDS-T1-GE3還具有良好的溫度特性和�(wěn)定�。它的工作溫度范圍為-55°C�150°C,適用于各種�(huán)境條件下的應(yīng)�。此�,它還具有良好的耐壓性能和可靠性,可以在各種應(yīng)用中提供長時間的�(wěn)定性和可靠��
  總的來說,SI2301CDS-T1-GE3是一款性能�(yōu)異的N溝道MOSFET晶體管,適用于各種低壓和低功率應(yīng)�。它具有低導(dǎo)通電�、低開啟電壓、快速開�(guān)速度和低開關(guān)損耗等特點,可以提供高效的電流控制。此外,它還具有良好的溫度特性和�(wěn)定�,可以在各種�(huán)境條件下提供可靠的性能�

參數(shù)和指�(biāo)

1、封裝類型:SOT-23
  2、最大漏極電壓(VDS):20V
  3、最大漏極電流(ID):2A
  4、最大功率耗散(PD):625mW
  5、導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):0.075Ω
  6、開啟電壓(VGS(th)):0.9V - 2.5V
  7、開啟電流(IDSS):0.1mA - 1mA
  8、工作溫度范圍:-55°C�150°C

組成�(jié)�(gòu)

1、濺射層:在晶體管的表面形成N溝道,用于控制漏極和源極之間的電流流動�
  2、柵極:用于控制N溝道的導(dǎo)電�,通過改變柵極電壓來控制漏�-源極之間的電��
  3、漏極:用于輸出晶體管的電流�
  4、源極:用于輸入晶體管的電流�
  5、絕緣層:用于隔離柵極與源極和漏極之間的電流�

工作原理

1、導(dǎo)通狀�(tài):當(dāng)柵極電壓高于開啟電壓(VGS(th))時,形成一個電子通道,允許電流從漏極流向源極。晶體管處于�(dǎo)通狀�(tài),漏�-源極之間的電阻很�,可以傳�(dǎo)大電��
  2、截�?fàn)顟B(tài):當(dāng)柵極電壓低于開啟電壓時,電子通道�(guān)�,不允許電流流動。晶體管處于截止?fàn)顟B(tài),漏�-源極之間的電阻很�,幾乎沒有電流通過�

技�(shù)要點

1、低�(dǎo)通電阻:SI2301CDS-T1-GE3具有低導(dǎo)通電�,可以降低功耗和熱耗散�
  2、低開啟電壓:SI2301CDS-T1-GE3具有低開啟電�,可以實�(xiàn)快速開�(guān)和高效能控制�
  3、快速開�(guān)速度:SI2301CDS-T1-GE3具有快速的開關(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用�
  4、低開關(guān)損耗:SI2301CDS-T1-GE3具有低開�(guān)損�,可以提高系�(tǒng)效率�

�(shè)計流�

1、確定應(yīng)用的電流和電壓要��
  2、根�(jù)要求選擇合適的封裝類型和晶體管型��
  3、進行電路�(shè)計和原理圖繪�,包括晶體管的連接方式和控制電路�
  4、進行原理驗證和電路仿�,確保設(shè)計滿足要��
  5、制作PCB板并進行布局和布線�
  6、進行電路板的組裝和焊接�
  7、進行電路板的測試和調(diào)試�
  8、進行系統(tǒng)的性能測試和驗��
  9、進行系統(tǒng)的優(yōu)化和�(diào)��

注意事項

1、嚴(yán)格遵守晶體管的最大電壓和電流�(guī)�,以防止損壞晶體��
  2、確保柵極電壓在�(guī)定范圍內(nèi),避免過壓或過流�
  3、注意散熱和熱耗散,以避免晶體管過熱�
  4、防止靜電損壞,使用適當(dāng)?shù)姆漓o電措��
  5、遵循制造商的建議和指南,以確保正確的使用和�(yīng)��

si2301cds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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si2301cds-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C112 毫歐 @ 2.8A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds405pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2301CDS-T1-GE3TR