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SI2301CDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2024/5/30 14:19:57 查看 閱讀:494

SI2301CDS-T1-GE3是一種N溝MOSFET晶體管,由Vishay Siliconix生產(chǎn)。它采用了SOT-23封裝,非常適合在低壓應(yīng)用中使用。這款晶體管具有低導(dǎo)通電阻和低開啟電壓,可以提供高效的電流控制。它的最大漏極電壓為20V,最大漏極電流為2A,因此適用于許多低功率應(yīng)用。
  SI2301CDS-T1-GE3還具有快速開關(guān)速度和低開關(guān)損耗的特點,可以在高頻應(yīng)用中發(fā)揮良好的性能。它的開關(guān)時間非常短,可以實現(xiàn)快速的電流開關(guān)。此外,它還具有低靜態(tài)電流,可以降低系統(tǒng)的功耗。
  SI2301CDS-T1-GE3還具有良好的溫度特性和穩(wěn)定性。它的工作溫度范圍為-55°C至150°C,適用于各種環(huán)境條件下的應(yīng)用。此外,它還具有良好的耐壓性能和可靠性,可以在各種應(yīng)用中提供長時間的穩(wěn)定性和可靠性。
  總的來說,SI2301CDS-T1-GE3是一款性能優(yōu)異的N溝道MOSFET晶體管,適用于各種低壓和低功率應(yīng)用。它具有低導(dǎo)通電阻、低開啟電壓、快速開關(guān)速度和低開關(guān)損耗等特點,可以提供高效的電流控制。此外,它還具有良好的溫度特性和穩(wěn)定性,可以在各種環(huán)境條件下提供可靠的性能。

參數(shù)和指標(biāo)

1、封裝類型:SOT-23
  2、最大漏極電壓(VDS):20V
  3、最大漏極電流(ID):2A
  4、最大功率耗散(PD):625mW
  5、導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):0.075Ω
  6、開啟電壓(VGS(th)):0.9V - 2.5V
  7、開啟電流(IDSS):0.1mA - 1mA
  8、工作溫度范圍:-55°C至150°C

組成結(jié)構(gòu)

1、濺射層:在晶體管的表面形成N溝道,用于控制漏極和源極之間的電流流動。
  2、柵極:用于控制N溝道的導(dǎo)電性,通過改變柵極電壓來控制漏極-源極之間的電流。
  3、漏極:用于輸出晶體管的電流。
  4、源極:用于輸入晶體管的電流。
  5、絕緣層:用于隔離柵極與源極和漏極之間的電流。

工作原理

1、導(dǎo)通狀態(tài):當(dāng)柵極電壓高于開啟電壓(VGS(th))時,形成一個電子通道,允許電流從漏極流向源極。晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài),漏極-源極之間的電阻很低,可以傳導(dǎo)大電流。
  2、截止?fàn)顟B(tài):當(dāng)柵極電壓低于開啟電壓時,電子通道關(guān)閉,不允許電流流動。晶體管處于截止?fàn)顟B(tài),漏極-源極之間的電阻很高,幾乎沒有電流通過。

技術(shù)要點

1、低導(dǎo)通電阻:SI2301CDS-T1-GE3具有低導(dǎo)通電阻,可以降低功耗和熱耗散。
  2、低開啟電壓:SI2301CDS-T1-GE3具有低開啟電壓,可以實現(xiàn)快速開關(guān)和高效能控制。
  3、快速開關(guān)速度:SI2301CDS-T1-GE3具有快速的開關(guān)速度,適用于高頻應(yīng)用。
  4、低開關(guān)損耗:SI2301CDS-T1-GE3具有低開關(guān)損耗,可以提高系統(tǒng)效率。

設(shè)計流程

1、確定應(yīng)用的電流和電壓要求。
  2、根據(jù)要求選擇合適的封裝類型和晶體管型號。
  3、進行電路設(shè)計和原理圖繪制,包括晶體管的連接方式和控制電路。
  4、進行原理驗證和電路仿真,確保設(shè)計滿足要求。
  5、制作PCB板并進行布局和布線。
  6、進行電路板的組裝和焊接。
  7、進行電路板的測試和調(diào)試。
  8、進行系統(tǒng)的性能測試和驗證。
  9、進行系統(tǒng)的優(yōu)化和調(diào)整。

注意事項

1、嚴(yán)格遵守晶體管的最大電壓和電流規(guī)格,以防止損壞晶體管。
  2、確保柵極電壓在規(guī)定范圍內(nèi),避免過壓或過流。
  3、注意散熱和熱耗散,以避免晶體管過熱。
  4、防止靜電損壞,使用適當(dāng)?shù)姆漓o電措施。
  5、遵循制造商的建議和指南,以確保正確的使用和應(yīng)用。

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si2301cds-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C112 毫歐 @ 2.8A,4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds405pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2301CDS-T1-GE3TR