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SI2301DS-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/9 12:34:14 查看 閱讀：30

SI2301DS 是一款來(lái)自 Vishay 的 N 灃道開(kāi)關(guān) MOSFET，采用小型化的 SOT-23 封裝形式。該器件適用于低功率應(yīng)用場(chǎng)合，具有較低的導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。它廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制領(lǐng)域中的負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理電路等。
　　該型號(hào)特別適合需要節(jié)省空間的設(shè)計(jì)，同時(shí)其優(yōu)異的電氣性能能夠有效降低功耗并提高效率。

參數(shù)

最大漏源電壓：20V
　　最大柵源電壓：±8V
　　連續(xù)漏極電流：1.8A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 時(shí)）
　　總電荷量：6nC
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
　　封裝類(lèi)型：SOT-23

特性

SI2301DS 具有以下特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻可以減少導(dǎo)通損耗，從而提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)特性使其非常適合高頻應(yīng)用。
　　3. 高度集成的小型封裝有助于減少 PCB 占用面積。
　　4. 良好的熱穩(wěn)定性確保了在高溫環(huán)境下也能可靠運(yùn)行。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
　　6. 支持表面貼裝技術(shù)（SMT），便于自動(dòng)化生產(chǎn)。

應(yīng)用

這款 MOSFET 可以用于多種場(chǎng)景，包括但不限于以下方面：
　　1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　2. USB 端口保護(hù)及充電管理電路。
　　3. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流器。
　　4. 各類(lèi)電池供電設(shè)備的電源管理。
　　5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與 LED 驅(qū)動(dòng)電路。
　　6. 信號(hào)切換和邏輯電平轉(zhuǎn)換。

替代型號(hào)

SI2302DS, BSS138, FDN340P

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