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SI2301DS-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/9 12:34:14 查看 閱讀:30

SI2301DS 是一款來(lái)自 Vishay 的 N 灃道開(kāi)關(guān) MOSFET,采用小型化的 SOT-23 封裝形式。該器件適用于低功率應(yīng)用場(chǎng)合,具有較低的導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。它廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制領(lǐng)域中的負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理電路等。
  該型號(hào)特別適合需要節(jié)省空間的設(shè)計(jì),同時(shí)其優(yōu)異的電氣性能能夠有效降低功耗并提高效率。

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流:1.8A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,在 Vgs=4.5V 時(shí))
  總電荷量:6nC
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
  封裝類(lèi)型:SOT-23

特性

SI2301DS 具有以下特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻可以減少導(dǎo)通損耗,從而提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)特性使其非常適合高頻應(yīng)用。
  3. 高度集成的小型封裝有助于減少 PCB 占用面積。
  4. 良好的熱穩(wěn)定性確保了在高溫環(huán)境下也能可靠運(yùn)行。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
  6. 支持表面貼裝技術(shù)(SMT),便于自動(dòng)化生產(chǎn)。

應(yīng)用

這款 MOSFET 可以用于多種場(chǎng)景,包括但不限于以下方面:
  1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
  2. USB 端口保護(hù)及充電管理電路。
  3. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器。
  4. 各類(lèi)電池供電設(shè)備的電源管理。
  5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與 LED 驅(qū)動(dòng)電路。
  6. 信號(hào)切換和邏輯電平轉(zhuǎn)換。

替代型號(hào)

SI2302DS, BSS138, FDN340P

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