SI2301DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET,基� Siliconix 系列。該器件采用了小型化� TO-252 (DPAK) 封裝,適合需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場�。它具有出色的開�(guān)特性和低功耗特�,廣泛用于電源管�、電機驅(qū)動以及負載切換等�(yīng)用領(lǐng)域�
其核心技�(shù)是通過�(yōu)化的溝槽式結(jié)�(gòu)實現(xiàn)了較低的�(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而提升整體系�(tǒng)效率并降低熱損�。此�,該器件還具備良好的雪崩耐量能力,確保在極端條件下也能穩(wěn)定工作�
型號:SI2301DS-T1-GE3
封裝:TO-252 (DPAK)
Vds(漏源極電壓):30V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ @ Vgs=10V
Id(連續(xù)漏極電流):67A
Qg(總柵極電荷):9nC
Bvdss(擊穿電壓)�30V
EAS(雪崩能量)�86mJ
Tj(結(jié)溫范圍)�-55°C � +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高能效�
2. 較小的柵極電� (Qg),實�(xiàn)快速開�(guān),降低開�(guān)損耗�
3. 高雪崩耐量能力,能夠承受瞬�(tài)過壓條件下的沖擊�
4. 支持高達 175°C 的結(jié)溫操�,適用于高溫�(huán)��
5. 符合 RoHS 標準,采用無鉛封裝設(shè)��
6. 良好的熱性能表現(xiàn),便于散熱管��
7. 可靠性高,經(jīng)過嚴格的�(zhì)量測試流��
這些特性使� SI2301DS-T1-GE3 成為許多高性能功率�(zhuǎn)換電路的理想選擇,尤其是在追求緊湊設(shè)計與高效運行的情況下�
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流��
2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負載開關(guān)�
4. 電機�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
5. 汽車電子�(shè)備中的電源分��
6. 工業(yè)自動化控制中的繼電器替代方案�
由于其卓越的電氣性能和堅固耐用的設(shè)計,SI2301DS-T1-GE3 在消費類電子�(chǎn)�、通信基礎(chǔ)�(shè)施以及汽車領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)��
SI2302DS-T1-GE3, IRFZ44N, FDP5570N