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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > SI2301W

SI2301W 發(fā)布時間 時間�2025/5/14 16:56:42 查看 閱讀�21

SI2301W是Vishay Siliconix推出的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用WSOIC6封裝形式,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于各種高效�、高頻應用場�。由于其出色的性能和可靠性,SI2301W被廣泛用于消費電�、通信設備以及工業(yè)控制領域�

參數

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�15A
  導通電阻(典型值)�7.5mΩ
  總柵極電荷:15nC
  輸入電容�950pF
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

SI2301W具備低導通電阻和低柵極電荷的特點,從而能夠實現高效的功率轉換。此外,它還具有快速開關能�,能夠在高頻應用中減少開關損��
  該器件使用了先進的制造工藝,在保證高性能的同時也提升了產品的可靠性和�(wěn)定�。其緊湊的封裝形式使其非常適合空間受限的應用場景�
  另外,SI2301W的工作溫度范圍較寬,適應多種�(huán)境條件下的使用需��

應用

SI2301W常用于DC-DC轉換器、負載開�、電機驅動電路以及其他需要高效功率轉換的應用�。在便攜式設備如筆記本電腦適配器、智能手機充電器等領域也有廣泛應��
  同時,由于其高電流承載能力和良好的熱性能,SI2301W還可應用于工�(yè)自動化系統中的電源管理和信號處理部分�

替代型號

SI4461DY, IRF7843, FDP5500

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