SI2302DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 芯片。該器件采用 SOIC-8 封裝形式,適用于多種電源管理、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及信號(hào)切換等應(yīng)用場(chǎng)�。其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性使其成為高效率�(shè)�(jì)的理想選��
SI2302 系列 MOSFET 集成了肖特基二極管結(jié)�(gòu),從而能夠提供反向恢�(fù)性能�(yōu)異的�(kāi)�(guān)能力。這種�(shè)�(jì)非常適合于需要頻繁�(jìn)行高速切換的�(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)確保系統(tǒng)在運(yùn)行時(shí)具備更低的功耗�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�4.4A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):75mΩ(典型�,在 Vgs=4.5V �(shí)�
總功耗:910mW
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
封裝形式:SOIC-8
SI2302DDS-T1-GE3 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗并提升整體效率�
2. �(nèi)置肖特基二極�,可以有效防止反向電流沖擊,提高系統(tǒng)的可靠��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻應(yīng)用環(huán)��
4. 工作溫度范圍寬廣,適合工�(yè)及汽車類�(yán)苛環(huán)境下的使��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
6. 小型化的 SOIC-8 封裝節(jié)省了電路板空間,�(jiǎn)化布局�(shè)�(jì)�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)控制�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器與電壓調(diào)節(jié)模塊�
3. 電池供電�(chǎn)品中的保�(hù)電路�
4. �(jì)算機(jī)外設(shè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理�
5. LED �(qū)�(dòng)器和背光控制�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替代方��
SI2301DD, SI2303DDS, BSS138