時間：2025/4/28 12:11:53
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SI2302DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 SOIC-8 封裝，適用于需要高效開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景。其主要特點是低導(dǎo)通電阻、高電流處理能力和出色的熱性能，適合于消費電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備中的電源管理和電機驅(qū)動應(yīng)用。
這款 MOSFET 的設(shè)計旨在減少功率損耗并提高效率，同時支持較寬的工作電壓范圍。它具有快速的開關(guān)速度和良好的抗雪崩能力，確保在嚴苛條件下也能穩(wěn)定運行。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：7.5A
導(dǎo)通電阻：45mΩ（典型值，Vgs=10V）
總功耗：1.6W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝類型：SOIC-8
SI2302DS-T1-GE3 提供了較低的導(dǎo)通電阻，從而減少了傳導(dǎo)損耗，提高了整體效率。其具備的高雪崩能量能力可以保護器件免受過電流和短路情況下的損害。此外，該 MOSFET 的快速開關(guān)速度有助于降低開關(guān)損耗，并使其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
器件采用了 Vishay 的先進工藝技術(shù)制造，確保了其卓越的電氣特性和可靠性。其小型化的 SOIC-8 封裝也便于 PCB 布局設(shè)計，節(jié)省空間的同時提供了優(yōu)異的散熱性能。
在實際使用中，該器件能夠承受較高的漏極電流和瞬態(tài)電壓，因此非常適合要求嚴格的應(yīng)用環(huán)境。同時，其耐高溫的能力進一步擴展了適用范圍。
SI2302DS-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，包括但不限于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電機驅(qū)動器、電池管理模塊、LED 驅(qū)動電路以及工業(yè)自動化系統(tǒng)中的電源管理部分。
由于其低導(dǎo)通電阻和高效率特點，在便攜式電子產(chǎn)品如筆記本電腦適配器、智能手機充電器等場合也有出色表現(xiàn)。另外，它還被用于汽車電子中的非關(guān)鍵性功能，例如車身控制系統(tǒng)中的繼電器替代方案。
SI2303DS, SI2304DS
