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SI2302DS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 12:11:53 查看 閱讀�32

SI2302DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 SOIC-8 封裝,適用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場�。其主要特點是低�(dǎo)通電�、高電流處理能力和出色的熱性能,適合于消費電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中的電源管理和電機�(qū)動應(yīng)��
  這款 MOSFET 的設(shè)計旨在減少功率損耗并提高效率,同時支持較寬的工作電壓范圍。它具有快速的開關(guān)速度和良好的抗雪崩能�,確保在嚴苛條件下也能穩(wěn)定運��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�7.5A
  �(dǎo)通電阻:45mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總功耗:1.6W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝類型:SOIC-8

特�

SI2302DS-T1-GE3 提供了較低的�(dǎo)通電�,從而減少了傳導(dǎo)損�,提高了整體效率。其具備的高雪崩能量能力可以保護器件免受過電流和短路情況下的損害。此�,該 MOSFET 的快速開�(guān)速度有助于降低開�(guān)損耗,并使其非常適合高頻開�(guān)�(yīng)��
  器件采用� Vishay 的先進工藝技�(shù)制�,確保了其卓越的電氣特性和可靠�。其小型化的 SOIC-8 封裝也便� PCB 布局�(shè)�,節(jié)省空間的同時提供了優(yōu)異的散熱性能�
  在實際使用中,該器件能夠承受較高的漏極電流和瞬態(tài)電壓,因此非常適合要求嚴格的�(yīng)用環(huán)境。同�,其耐高溫的能力進一步擴展了適用范圍�

�(yīng)�

SI2302DS-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于各種�(lǐng)�,包括但不限� DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)動器、電池管理模�、LED �(qū)動電路以及工�(yè)自動化系�(tǒng)中的電源管理部分�
  由于其低�(dǎo)通電阻和高效率特點,在便攜式電子�(chǎn)品如筆記本電腦適配器、智能手機充電器等場合也有出色表�(xiàn)。另�,它還被用于汽車電子中的非關(guān)鍵性功能,例如車身控制系統(tǒng)中的繼電器替代方��

替代型號

SI2303DS, SI2304DS

si2302ds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

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