国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 10:31:45 查看 閱讀�11

SI2304DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝,適用于空間受限的應用場�。它具有低導通電阻和快速開關速度的特點,適合用于便攜式設�、電源管理模塊以及信號切換電路中�
  該型號屬� SiStealth 系列,具有較低的柵極電荷和優(yōu)化的動態(tài)性能,能夠在高頻條件下提供高效能表現�

參數

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�1.5A
  導通電阻(Rds(on)):70mΩ
  柵極電荷�6nC
  總電容:39pF
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

SI2304DDS-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 低導通電� (Rds(on)),可減少功率損耗并提高效率�
  2. 快速開關性能,適合高頻應用環(huán)境�
  3. 小型封裝設計 (SOT-23),非常適合緊湊型 PCB 布局�
  4. 高可靠性與�(wěn)定�,能夠適應較寬的工作溫度范圍�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足現代工業(yè)�(guī)��
  6. 具有�(yōu)異的熱性能,能夠在高負載條件下保持�(wěn)定運��

應用

� MOSFET 廣泛應用于以下機和平板電腦中的負載開關控制�
  2. 電池供電產品的電源管��
  3. LED 驅動器和 DC-DC 轉換器中的開關元件�
  4. 數據通信設備中的信號切換功能�
  5. 各種消費類電子產品及工業(yè)自動化系�(tǒng)的低側開關解決方��

替代型號

SI2302DS, BSS138, FDN337N

si2304dds-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si2304dds-t1-ge3資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

si2304dds-t1-ge3參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫歐 @ 3.2A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6.7nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds235pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2304DDS-T1-GE3-NDSI2304DDS-T1-GE3TR