時間：2025/6/3 10:31:45
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SI2304DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝，適用于空間受限的應用場景。它具有低導通電阻和快速開關速度的特點，適合用于便攜式設備、電源管理模塊以及信號切換電路中。
該型號屬于 SiStealth 系列，具有較低的柵極電荷和優(yōu)化的動態(tài)性能，能夠在高頻條件下提供高效能表現。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：1.5A
導通電阻（Rds(on)）：70mΩ
柵極電荷：6nC
總電容：39pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
SI2304DDS-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 低導通電阻 (Rds(on))，可減少功率損耗并提高效率。
2. 快速開關性能，適合高頻應用環(huán)境。
3. 小型封裝設計 (SOT-23)，非常適合緊湊型 PCB 布局。
4. 高可靠性與穩(wěn)定性，能夠適應較寬的工作溫度范圍。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且滿足現代工業(yè)規(guī)范。
6. 具有優(yōu)異的熱性能，能夠在高負載條件下保持穩(wěn)定運行。
該 MOSFET 廣泛應用于以下機和平板電腦中的負載開關控制。
2. 電池供電產品的電源管理。
3. LED 驅動器和 DC-DC 轉換器中的開關元件。
4. 數據通信設備中的信號切換功能。
5. 各種消費類電子產品及工業(yè)自動化系統(tǒng)的低側開關解決方案。
SI2302DS, BSS138, FDN337N
