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SI2304DDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/6/3 10:31:45 查看 閱讀:11

SI2304DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝,適用于空間受限的應用場景。它具有低導通電阻和快速開關速度的特點,適合用于便攜式設備、電源管理模塊以及信號切換電路中。
  該型號屬于 SiStealth 系列,具有較低的柵極電荷和優(yōu)化的動態(tài)性能,能夠在高頻條件下提供高效能表現。

參數

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:1.5A
  導通電阻(Rds(on)):70mΩ
  柵極電荷:6nC
  總電容:39pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

SI2304DDS-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 低導通電阻 (Rds(on)),可減少功率損耗并提高效率。
  2. 快速開關性能,適合高頻應用環(huán)境。
  3. 小型封裝設計 (SOT-23),非常適合緊湊型 PCB 布局。
  4. 高可靠性與穩(wěn)定性,能夠適應較寬的工作溫度范圍。
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足現代工業(yè)規(guī)范。
  6. 具有優(yōu)異的熱性能,能夠在高負載條件下保持穩(wěn)定運行。

應用

該 MOSFET 廣泛應用于以下機和平板電腦中的負載開關控制。
  2. 電池供電產品的電源管理。
  3. LED 驅動器和 DC-DC 轉換器中的開關元件。
  4. 數據通信設備中的信號切換功能。
  5. 各種消費類電子產品及工業(yè)自動化系統(tǒng)的低側開關解決方案。

替代型號

SI2302DS, BSS138, FDN337N

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si2304dds-t1-ge3參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫歐 @ 3.2A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs6.7nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds235pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封裝SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2304DDS-T1-GE3-NDSI2304DDS-T1-GE3TR