SI2304DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝,適用于空間受限的應用場�。它具有低導通電阻和快速開關速度的特點,適合用于便攜式設�、電源管理模塊以及信號切換電路中�
該型號屬� SiStealth 系列,具有較低的柵極電荷和優(yōu)化的動態(tài)性能,能夠在高頻條件下提供高效能表現�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�1.5A
導通電阻(Rds(on)):70mΩ
柵極電荷�6nC
總電容:39pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
SI2304DDS-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 低導通電� (Rds(on)),可減少功率損耗并提高效率�
2. 快速開關性能,適合高頻應用環(huán)境�
3. 小型封裝設計 (SOT-23),非常適合緊湊型 PCB 布局�
4. 高可靠性與�(wěn)定�,能夠適應較寬的工作溫度范圍�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足現代工業(yè)�(guī)��
6. 具有�(yōu)異的熱性能,能夠在高負載條件下保持�(wěn)定運��
� MOSFET 廣泛應用于以下機和平板電腦中的負載開關控制�
2. 電池供電產品的電源管��
3. LED 驅動器和 DC-DC 轉換器中的開關元件�
4. 數據通信設備中的信號切換功能�
5. 各種消費類電子產品及工業(yè)自動化系�(tǒng)的低側開關解決方��
SI2302DS, BSS138, FDN337N