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SI2305DS-T1-E3 發(fā)布時間 時間:2025/5/10 8:59:11 查看 閱讀:29

SI2305DS是一款來自Vishay Siliconix的N溝道增強型MOSFET,采用TrenchFET Gen III技術制造。該器件主要針對高效率、低功耗應用設計,具有極低的導通電阻(Rds(on)),適合用于負載開關、DC-DC轉換器、電池保護電路以及各種便攜式電子設備中的功率管理應用。
  SI2305DS的封裝形式為微型的DS-T1-E3封裝,這種封裝有助于節(jié)省PCB空間,并具備良好的散熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds):20V
  最大柵源電壓(Vgs):±8V
  連續(xù)漏極電流(Id):4.6A
  導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=4.5V時)
  柵極電荷(Qg):8nC
  反向傳輸電容(Crss):10pF
  工作結溫范圍:-55℃至+150℃

特性

SI2305DS采用了先進的TrenchFET Gen III工藝,具備以下顯著特點:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠在高頻開關條件下減少傳導損耗。
  2. 小巧的封裝尺寸,非常適合空間受限的應用場景。
  3. 較低的柵極電荷和輸入電容,有助于提高開關速度并降低驅動損耗。
  4. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠。
  5. 高雪崩能力和魯棒性,可承受瞬態(tài)過壓和浪涌電流沖擊。
  6. 支持快速開關,適用于同步整流和多相降壓轉換器等高性能需求場景。

應用

SI2305DS廣泛應用于需要高效功率管理的領域,包括但不限于:
  1. 手機和平板電腦中的負載開關。
  2. 筆記本電腦及外設的電源管理。
  3. DC-DC轉換器和POL(Point of Load)調節(jié)器。
  4. 電池供電設備中的保護電路。
  5. 消費類電子產品中的背光驅動和電機控制。
  6. 工業(yè)自動化設備中的小型化功率模塊。

替代型號

SI2307DS, SI2309DS, BSC016N06NS

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si2305ds-t1-e3參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表SI2305DS
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)8V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C52 毫歐 @ 3.5A,4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)800mV @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1245pF @ 4V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封裝SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2305DS-T1-E3TR