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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI2305DS-T1-GE3

SI2305DS-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 15:23:26 查看 閱讀�29

SI2305DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用微型� SOT-23 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于便攜式�(shè)備、電池供電系�(tǒng)以及需要高效能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)��
  其設(shè)�(jì)目標(biāo)是為低電壓應(yīng)用提供高效的開關(guān)性能,并且能夠承受較高的電流�(fù)�。這種類型� MOSFET 在電源管理、負(fù)載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器等電路中非常常見�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�2.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):175mΩ
  柵極電荷�4.5nC
  總功耗:400mW
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:SOT-23

特�

1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在低電壓下能夠有效降低功率損�,提升效��
  2. 快速開�(guān)能力,有助于減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)的整體效��
  3. 小型化的 SOT-23 封裝使得它特別適合于空間受限的設(shè)�(jì)�(huán)境�
  4. 高度可靠的性能,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
  5. 低輸入電�,優(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能,減少了�(qū)�(dòng)功耗�
  6. 可承受高瞬態(tài)電壓,增�(qiáng)了器件的耐用性�

�(yīng)�

1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開�(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或開�(guān)元件�
  3. 電池保護(hù)電路中的開關(guān)控制�
  4. LED �(qū)�(dòng)電路中的功率�(diào)節(jié)�
  5. 各類便攜式電子設(shè)備中的功率管理模��
  6. 小型化消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的保�(hù)和切換功��

替代型號(hào)

SI2306DS-T1-E3, SI2304DS-T1-GE3

si2305ds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2305ds-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)8V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C52 毫歐 @ 3.5A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)800mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1245pF @ 4V
  • 功率 - 最�1.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)