SI2305DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用微型� SOT-23 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于便攜式�(shè)備、電池供電系�(tǒng)以及需要高效能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)��
其設(shè)�(jì)目標(biāo)是為低電壓應(yīng)用提供高效的開關(guān)性能,并且能夠承受較高的電流�(fù)�。這種類型� MOSFET 在電源管理、負(fù)載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器等電路中非常常見�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�2.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):175mΩ
柵極電荷�4.5nC
總功耗:400mW
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:SOT-23
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在低電壓下能夠有效降低功率損�,提升效��
2. 快速開�(guān)能力,有助于減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)的整體效��
3. 小型化的 SOT-23 封裝使得它特別適合于空間受限的設(shè)�(jì)�(huán)境�
4. 高度可靠的性能,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
5. 低輸入電�,優(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能,減少了�(qū)�(dòng)功耗�
6. 可承受高瞬態(tài)電壓,增�(qiáng)了器件的耐用性�
1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或開�(guān)元件�
3. 電池保護(hù)電路中的開關(guān)控制�
4. LED �(qū)�(dòng)電路中的功率�(diào)節(jié)�
5. 各類便攜式電子設(shè)備中的功率管理模��
6. 小型化消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的保�(hù)和切換功��
SI2306DS-T1-E3, SI2304DS-T1-GE3