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SI2307BDS-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/3 16:23:13 查看 閱讀:12

SI2307BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用微型 DPAK 封裝,廣泛用于需要高效率和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景。其出色的電氣特性和熱性能使其成為許多工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇。
  SI2307BDS-T1-GE3 主要設(shè)計(jì)用于高頻開關(guān)應(yīng)用,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場合。其具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流:35A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  柵極電荷:85nC
  總電容(Ciss):2380pF
  開關(guān)速度:快速
  工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
  封裝類型:TO-263-3(DPAK)

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),確保高效能表現(xiàn)。
  2. 高電流處理能力,能夠承受高達(dá) 35A 的連續(xù)漏極電流。
  3. 快速開關(guān)性能,支持高頻應(yīng)用,例如開關(guān)電源和電機(jī)控制。
  4. 強(qiáng)大的熱穩(wěn)定性,允許在 -55°C 至 +175°C 的寬溫范圍內(nèi)運(yùn)行。
  5. 微型 DPAK 封裝,節(jié)省空間且易于安裝。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛設(shè)計(jì)。
  7. 內(nèi)部二極管提供反向保護(hù)功能,增強(qiáng)了器件的可靠性和安全性。

應(yīng)用

1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  5. 負(fù)載開關(guān)
  6. 電信設(shè)備中的功率管理
  7. 工業(yè)自動(dòng)化及控制設(shè)備
  8. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊

替代型號(hào)

SI2306DS, IRFZ44N, FDP5500

si2307bds-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2307bds-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C78 毫歐 @ 3.2A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds380pF @ 15V
  • 功率 - 最大750mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝帶卷 (TR)