時(shí)間：2025/6/3 16:23:13
閱讀：12
SI2307BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用微型 DPAK 封裝，廣泛用于需要高效率和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景。其出色的電氣特性和熱性能使其成為許多工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇。
SI2307BDS-T1-GE3 主要設(shè)計(jì)用于高頻開關(guān)應(yīng)用，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場合。其具有較低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可有效減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓：60V
最大連續(xù)漏極電流：35A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：4.5mΩ
柵極電荷：85nC
總電容（Ciss）：2380pF
開關(guān)速度：快速
工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃
封裝類型：TO-263-3(DPAK)
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），確保高效能表現(xiàn)。
2. 高電流處理能力，能夠承受高達(dá) 35A 的連續(xù)漏極電流。
3. 快速開關(guān)性能，支持高頻應(yīng)用，例如開關(guān)電源和電機(jī)控制。
4. 強(qiáng)大的熱穩(wěn)定性，允許在 -55°C 至 +175°C 的寬溫范圍內(nèi)運(yùn)行。
5. 微型 DPAK 封裝，節(jié)省空間且易于安裝。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無鉛設(shè)計(jì)。
7. 內(nèi)部二極管提供反向保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件的可靠性和安全性。
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
5. 負(fù)載開關(guān)
6. 電信設(shè)備中的功率管理
7. 工業(yè)自動(dòng)化及控制設(shè)備
8. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊
SI2306DS, IRFZ44N, FDP5500
