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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 15:37:04 查看 閱讀�27

SI2307CDS 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用微型 DPAK 封裝(TO-263�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于高頻開關電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開關等應用場合�
  其設計優(yōu)化了在便攜式電子設備中的效率表現(xiàn),并通過出色的熱性能支持更高的功率密��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±12V
  連續(xù)漏極電流�11.9A
  導通電阻(Rds(on)):8mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷�19nC(典型值)
  反向恢復時間�5ns(典型值)
  工作結溫范圍�-55� � +150�

特�

低導通電阻能夠減少傳導損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  快速開關特性使其非常適合高頻應用�
  具備較低的柵極電�,從而降低驅(qū)動損耗�
  符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛封裝�
  堅固的雪崩擊穿能力和短路耐受能力確保了可靠運��
  DPAK 封裝提供了良好的散熱性能,簡� PCB 布局設計�

應用

開關模式電源(SMPS�
  DC-DC �(zhuǎn)換器
  負載開關
  電池保護電路
  電機�(qū)動控�
  通信設備中的功率管理模塊
  消費類電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方�

替代型號

SI2304DS, SI2305DS, IRF7822, FDP15U20A

si2307cds-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si2307cds-t1-ge3資料 更多>

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si2307cds-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C88 毫歐 @ 3.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6.2nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds340pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.8W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2307CDS-T1-GE3TR