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SI2308BDS 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/15 17:19:27 查看 閱讀：20

SI2308BDS 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。它采用了小型化的 SOT-23 封裝，適合用于需要高效率和低功耗的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下能夠?qū)崿F(xiàn)良好的導(dǎo)通性能，非常適合便攜式設(shè)備、電源管理電路以及信號(hào)切換等場(chǎng)合。
　　這款 MOSFET 的最大特點(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），這使得它在功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中具有出色的效率表現(xiàn)。同時(shí)，由于其緊湊的封裝形式，它也特別適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　最大柵源電壓：±8V
　　連續(xù)漏電流：1.5A
　　脈沖漏電流：3.4A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：160mΩ @ Vgs=4.5V
　　柵極電荷：3.5nC
　　總電容：95pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

SI2308BDS 提供了非常低的導(dǎo)通電阻值，在 4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓下僅為 160mΩ，從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了系統(tǒng)效率。
　　此外，它的 SOT-23 封裝體積小巧，便于集成到高度密集的 PCB 設(shè)計(jì)中。
　　器件支持高達(dá) 1.5A 的連續(xù)漏電流，并且能夠承受更高的脈沖電流，增強(qiáng)了其在瞬態(tài)條件下的可靠性。
　　該 MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)要求與現(xiàn)代微控制器或?qū)Ｓ抿?qū)動(dòng) IC 的輸出兼容，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程。
　　其工作溫度范圍從 -55°C 到 +150°C，保證了在極端環(huán)境中的穩(wěn)定性。

應(yīng)用

SI2308BDS 廣泛應(yīng)用于各種低功率和中功率電子設(shè)備中，包括但不限于：
　　- 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)
　　- 電池供電系統(tǒng)的保護(hù)電路
　　- 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流
　　- LED 驅(qū)動(dòng)器中的電流控制
　　- 數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的信號(hào)切換
　　- 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

替代型號(hào)

SI2302DS, SI2307DS

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