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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 10:25:01 查看 閱讀�10

SI2308DS-T1-E3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用小尺寸封�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于便攜式�(shè)�、負(fù)載開�(guān)、同步整流以及電池供電設(shè)備等�(yīng)用。其出色的電氣性能和緊湊的�(shè)�(jì)使其成為需要高效能和節(jié)省空間的�(yīng)用的理想選擇�
  該器件基于先�(jìn)的硅工藝制�,能夠在高頻條件下提供穩(wěn)定的性能,同�(shí)具備較低的柵極電荷特�,有助于減少開關(guān)損�。此�,其工作電壓范圍較寬,能夠適�(yīng)多種電源管理�(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�3.6A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�95mΩ
  柵極電荷�7nC
  總電容:45pF
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝類型:DFN1006-2

特�

SI2308DS-T1-E3 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于提高系�(tǒng)效率并降低功��
  2. 小型 DFN1006-2 封裝�(shè)�(jì),適用于�(duì)空間要求苛刻的應(yīng)用�
  3. 高開�(guān)速度,可減少開關(guān)�(guò)程中的能量損失�
  4. 寬工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定性�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持�(wú)鉛焊接工藝�
  6. 可靠性高,適合長(zhǎng)期運(yùn)行的工業(yè)�(jí)�(yīng)��

�(yīng)�

這款 MOSFET 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
  1. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  2. 同步整流電路中的功率�(zhuǎn)換元件�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)和控制元��
  4. DC-DC �(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件�
  5. LED 照明�(qū)�(dòng)電路中的電流控制元件�
  6. 通信�(shè)備中的電源管理單��
  由于其高效的特性和緊湊的封�,SI2308DS-T1-E3 在各種消�(fèi)類電子產(chǎn)品和工業(yè)�(shè)備中都表�(xiàn)出色�

替代型號(hào)

SI2306DS, SI2310DS

si2308ds-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2308ds-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI2308DS
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫歐 @ 2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds240pF @ 25V
  • 功率 - 最�1.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2308DS-T1-E3TR