SI2309DS 是一款來自 Vishay Siliconix 的 N 灃 道 MOSFET 功率晶體管。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,適用于需要高效能和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場(chǎng)景。其主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及優(yōu)異的熱性能。這款 MOSFET 常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理等應(yīng)用領(lǐng)域。
該器件封裝形式為 SO-8,適合表面貼裝技術(shù)(SMT),能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高性能的需求。
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流:6.7A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ @ Vgs=10V
柵極電荷:11nC
總柵極電荷:17nC
輸入電容:1130pF
輸出電容:185pF
反向恢復(fù)時(shí)間:9ns
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
SI2309DS 具有以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
3. 小型化的 SO-8 封裝,便于 PCB 設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。
4. 出色的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
6. 支持高電流密度,適用于大功率應(yīng)用。
7. 穩(wěn)定可靠的電氣性能,確保長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行無故障。
SI2309DS 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和功率轉(zhuǎn)換。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載控制。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和信號(hào)切換。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源開關(guān)和保護(hù)功能。
7. 通信設(shè)備中的高效能功率轉(zhuǎn)換模塊。
SI2302DS, IRF7406, FDN340P