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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI2309DS

SI2309DS 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 2:32:32 查看 閱讀�19

SI2309DS 是一款來� Vishay Siliconix � N � � MOSFET 功率晶體�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,適用于需要高效能和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�。其主要特點(diǎn)是低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及�(yōu)異的熱性能。這款 MOSFET 常用� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)和電源管理等�(yīng)用領(lǐng)域�
  該器件封裝形式為 SO-8,適合表面貼裝技�(shù)(SMT),能夠滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高性能的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�6.7A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ @ Vgs=10V
  柵極電荷�11nC
  總柵極電荷:17nC
  輸入電容�1130pF
  輸出電容�185pF
  反向恢復(fù)�(shí)間:9ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

SI2309DS 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 小型化的 SO-8 封裝,便� PCB �(shè)�(jì)和生�(chǎn)�
  4. 出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  6. 支持高電流密度,適用于大功率�(yīng)用�
  7. �(wěn)定可靠的電氣性能,確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行無故障�

�(yīng)�

SI2309DS 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和功率�(zhuǎn)��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載控��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和信號(hào)切換�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源開關(guān)和保�(hù)功能�
  7. 通信�(shè)備中的高效能功率�(zhuǎn)換模塊�

替代型號(hào)

SI2302DS, IRF7406, FDN340P

si2309ds推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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