SI2309DS 時(shí)間：2025/5/23 2:32:32 閱讀：19

SI2309DS 是一款來自 Vishay Siliconix 的 N 灃道 MOSFET 功率晶體管。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造，適用于需要高效能和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場(chǎng)景。其主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及優(yōu)異的熱性能。這款 MOSFET 常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理等應(yīng)用領(lǐng)域。
　　該器件封裝形式為 SO-8，適合表面貼裝技術(shù)（SMT），能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高性能的需求。

參數(shù)

最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：6.7A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：5.5mΩ @ Vgs=10V
　　柵極電荷：11nC
　　總柵極電荷：17nC
　　輸入電容：1130pF
　　輸出電容：185pF
　　反向恢復(fù)時(shí)間：9ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

SI2309DS 具有以下關(guān)鍵特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開關(guān)能力，適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
　　3. 小型化的 SO-8 封裝，便于 PCB 設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。
　　4. 出色的熱性能，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
　　6. 支持高電流密度，適用于大功率應(yīng)用。
　　7. 穩(wěn)定可靠的電氣性能，確保長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行無故障。

應(yīng)用

SI2309DS 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流和功率轉(zhuǎn)換。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
　　3. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
　　4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載控制。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和信號(hào)切換。
　　6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源開關(guān)和保護(hù)功能。
　　7. 通信設(shè)備中的高效能功率轉(zhuǎn)換模塊。