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SI2310-TP 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/8 14:00:05 查看 閱讀：26

SI2310-TP是Vishay Siliconix公司推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體管。該器件采用了TrenchFET Gen II技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能，非常適合于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用和負(fù)載切換場(chǎng)景。其封裝形式為SOT-23，適合表面貼裝工藝，廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、電源管理電路以及通信設(shè)備等領(lǐng)域。
　　該器件的最大特點(diǎn)是能夠以較小的封裝實(shí)現(xiàn)高效的電流傳輸，同時(shí)保持較低的功耗和較高的可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　最大連續(xù)漏極電流：2.9A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：65mΩ（典型值，當(dāng)Vgs=4.5V時(shí)）
　　柵極電荷：1.8nC（典型值）
　　輸入電容：170pF（典型值）
　　輸出電容：40pF（典型值）
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃

特性

SI2310-TP采用先進(jìn)的TrenchFET技術(shù)制造，具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升效率。
　　2. 小巧的SOT-23封裝設(shè)計(jì)，適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　3. 快速的開(kāi)關(guān)速度，支持高頻操作。
　　4. 高電流處理能力，能夠在緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)大功率傳輸。
　　5. 良好的熱穩(wěn)定性，確保在寬溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系統(tǒng)中。

應(yīng)用

SI2310-TP適用于多種電子電路設(shè)計(jì)，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC/DC轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)關(guān)。
　　3. 電池供電設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　4. 手機(jī)、平板電腦和其他便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。
　　5. 數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的信號(hào)切換。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的小型驅(qū)動(dòng)器電路。
　　由于其優(yōu)異的性能和小尺寸，這款MOSFET特別適合需要高效率和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)合。

替代型號(hào)

SI2303DS, SI2307DS, BSS138

si2310-tp推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2310-tp參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量114,852現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥3.26000剪切帶（CT）3,000 : ￥0.72122卷帶（TR）
  • 系列-
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類(lèi)型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）60 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)3A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）125 毫歐 @ 3A，4.5V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）6 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）247 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）350mW（Ta）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝SOT-23
  • 封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3