国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置:電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/6/5 12:29:43 查看 閱讀:13

SI2311DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術,具有較低的導通電阻和出色的開關性能,適用于各種高效能功率轉換應用。它支持高頻率操作,并且能夠在較寬的電壓范圍內(nèi)工作。
  該型號采用行業(yè)標準的 TO-252 (DPAK) 封裝形式,有助于提高散熱性能和易于 PCB 布局設計。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:4.4A
  導通電阻(典型值):7.5mΩ
  柵極電荷:9nC
  開關速度:快速
  封裝類型:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

SI2311DS-T1-GE3 的主要特點是其低導通電阻,這有助于降低傳導損耗并提高效率。此外,該器件具有較低的柵極電荷,從而減少了開關損耗。
  由于采用了先進的 TrenchFET 工藝,這款 MOSFET 能夠在高頻條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,同時保持較高的耐用性和穩(wěn)定性。
  其小型封裝形式使其非常適合空間受限的應用場景,而高達 +175℃ 的工作溫度范圍則確保了在嚴苛環(huán)境下的可靠運行。

應用

SI2311DS-T1-GE3 廣泛應用于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制領域。常見的應用場景包括 DC-DC 轉換器、負載開關、電機驅動、電池管理以及 LED 驅動等。
  由于其出色的高頻性能和低損耗特性,這款器件特別適合于需要高效率和小尺寸解決方案的設計。
  另外,在便攜式設備中的電源管理和適配器應用中也常使用此型號。

替代型號

SI2308DS-T1-E3, SI2310DS-T1-E3, SI2309DS-T1-E3

si2311ds-t1-ge3推薦供應商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si2311ds-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)8V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫歐 @ 3.5A,4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)800mV @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds970pF @ 4V
  • 功率 - 最大710mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封裝SOT-23-3
  • 包裝帶卷 (TR)