時間：2025/6/5 12:29:43
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SI2311DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術，具有較低的導通電阻和出色的開關性能，適用于各種高效能功率轉換應用。它支持高頻率操作，并且能夠在較寬的電壓范圍內(nèi)工作。
該型號采用行業(yè)標準的 TO-252 (DPAK) 封裝形式，有助于提高散熱性能和易于 PCB 布局設計。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：4.4A
導通電阻（典型值）：7.5mΩ
柵極電荷：9nC
開關速度：快速
封裝類型：TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
SI2311DS-T1-GE3 的主要特點是其低導通電阻，這有助于降低傳導損耗并提高效率。此外，該器件具有較低的柵極電荷，從而減少了開關損耗。
由于采用了先進的 TrenchFET 工藝，這款 MOSFET 能夠在高頻條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能，同時保持較高的耐用性和穩(wěn)定性。
其小型封裝形式使其非常適合空間受限的應用場景，而高達 +175℃ 的工作溫度范圍則確保了在嚴苛環(huán)境下的可靠運行。
SI2311DS-T1-GE3 廣泛應用于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制領域。常見的應用場景包括 DC-DC 轉換器、負載開關、電機驅動、電池管理以及 LED 驅動等。
由于其出色的高頻性能和低損耗特性，這款器件特別適合于需要高效率和小尺寸解決方案的設計。
另外，在便攜式設備中的電源管理和適配器應用中也常使用此型號。
SI2308DS-T1-E3, SI2310DS-T1-E3, SI2309DS-T1-E3
