SI2312B-TP是Vishay Siliconix推出的一款N溝道邏輯電平增強型MOSFET。該器件采用小型化的PowerPAK? 1212-8封裝,具有低導通電阻(Rds(on))和快速開關速度的特�,適合用于各種功率管理應�,例如DC/DC轉換�、負載開�、同步整流器等。其設計�(yōu)化了性能與空間利用率,在高頻開關應用中表�(xiàn)尤為突出�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵極源極電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�4.7A
導通電�(Rds(on))�9mΩ @ Vgs=4.5V
總柵極電�(Qg)�6nC
輸入電容(Ciss)�130pF
工作溫度范圍(Top)�-55°C to +150°C
SI2312B-TP具備超低導通電�,能夠顯著減少傳導損�,提高效率�
它支持高�4.7A的連續(xù)漏極電流,并且擁有快速的開關速度,從而適應高頻應用需��
該器件的封裝尺寸小巧,適合空間受限的設計場景�
此外,其邏輯電平�(qū)動特性允許直接由常見的數(shù)字信號控制器進行控制,無需額外的驅(qū)動電路�
Vishay Siliconix的制造工藝確保了該產(chǎn)品的�(wěn)定性和可靠��
SI2312B-TP適用于多種功率電子領�,包括但不限于以下應用:
1. 開關模式電源(SMPS)中的功率轉換�
2. 筆記本電腦及平板電腦中的負載開關�
3. 工業(yè)設備�(nèi)的同步整流電路�
4. 消費類電子產(chǎn)品中的電池管理模��
5. 電信系統(tǒng)中的高效DC/DC轉換��
SI2308DP, SI2309DP