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SI2312BDS-T1 發(fā)布時間 時間:2025/5/21 20:09:12 查看 閱讀:22

SI2312BDS-T1 是一款來自 Vishay 的 N 灃道 FET(場效應(yīng)晶體管),采用微型 SOT-23 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于各種便攜式電子設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。由于其小尺寸和高性能,SI2312BDS-T1 在空間受限的設(shè)計(jì)中特別受歡迎。
  該產(chǎn)品主要面向消費(fèi)類電子、通信設(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域的應(yīng)用,支持高頻率工作環(huán)境。

參數(shù)

型號:SI2312BDS-T1
  類型:N 沖道 MOSFET
  Vds(漏源極電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):55 mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):2.86A
  Vgs(th)(柵極開啟電壓):1.2V
  封裝形式:SOT-23
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
  Qg(總柵極電荷量):4.5 nC

特性

SI2312BDS-T1 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)性能,使得它適合高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
  3. 微型 SOT-23 封裝設(shè)計(jì),節(jié)省 PCB 空間,并簡化了布局設(shè)計(jì)。
  4. 支持寬范圍的工作溫度,確保在極端環(huán)境下也能穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 較低的柵極電荷(Qg),可以減少驅(qū)動損耗。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝生產(chǎn)。

應(yīng)用

SI2312BDS-T1 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流功能。
  2. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級開關(guān)。
  3. 電池供電設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
  4. 便攜式電子產(chǎn)品中的保護(hù)電路。
  5. 電機(jī)驅(qū)動和 LED 驅(qū)動中的功率開關(guān)元件。
  6. 各種工業(yè)控制和通信接口中的信號切換。
  7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的小型化解決方案。

替代型號

SI2302DS, SI2309DS, BSS138

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