時間：2025/5/21 20:09:12
閱讀：22
SI2312BDS-T1 是一款來自 Vishay 的 N 灃道 FET（場效應(yīng)晶體管），采用微型 SOT-23 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于各種便攜式電子設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。由于其小尺寸和高性能，SI2312BDS-T1 在空間受限的設(shè)計(jì)中特別受歡迎。
該產(chǎn)品主要面向消費(fèi)類電子、通信設(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域的應(yīng)用，支持高頻率工作環(huán)境。
型號：SI2312BDS-T1
類型：N 沖道 MOSFET
Vds（漏源極電壓）：30V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：55 mΩ
Id（連續(xù)漏極電流）：2.86A
Vgs(th)（柵極開啟電壓）：1.2V
封裝形式：SOT-23
工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
Qg（總柵極電荷量）：4.5 nC
SI2312BDS-T1 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)性能，使得它適合高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
3. 微型 SOT-23 封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省 PCB 空間，并簡化了布局設(shè)計(jì)。
4. 支持寬范圍的工作溫度，確保在極端環(huán)境下也能穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 較低的柵極電荷（Qg），可以減少驅(qū)動損耗。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛工藝生產(chǎn)。
SI2312BDS-T1 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流功能。
2. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率級開關(guān)。
3. 電池供電設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
4. 便攜式電子產(chǎn)品中的保護(hù)電路。
5. 電機(jī)驅(qū)動和 LED 驅(qū)動中的功率開關(guān)元件。
6. 各種工業(yè)控制和通信接口中的信號切換。
7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的小型化解決方案。
SI2302DS, SI2309DS, BSS138
