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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 10:22:53 查看 閱讀�25

SI2318DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用小尺寸的 TSOT23-3 封裝,適用于各種高效�、空間受限的�(yīng)用場�。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合于負載開關(guān)、同步整�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他功率管理�(yīng)��
  該器件在�(shè)計時注重降低功耗并提高系統(tǒng)效率,同時具備出色的熱性能以確保穩(wěn)定運行�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�3.5A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):90mΩ(典型�,Vgs=4.5V�
  柵極電荷�7nC(典型值)
  開關(guān)速度:快�
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

SI2318DS-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,� Vgs = 4.5V 下僅� 90mΩ,能夠有效減少傳�(dǎo)損��
  2. 快速開�(guān)能力,得益于其較小的柵極電荷,適合高頻應(yīng)��
  3. 高度集成的小型封� TSOT23-3,有助于節(jié)� PCB 空間�
  4. 寬泛的工作溫度范圍,� -55°C � +150°C,使其能夠在惡劣�(huán)境下可靠運行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
  6. �(nèi)置反向漏源二極管,簡化電路設(shè)計并提供額外保護�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 移動�(shè)備中的負載開�(guān)�
  2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器的同步整��
  3. 電池供電系統(tǒng)的功率管��
  4. 消費電子�(chǎn)品的電源管理單元�
  5. 工業(yè)控制及汽車電子中對小型化和高效能有要求的場合�
  由于其優(yōu)異的電氣特性和緊湊的封裝形�,SI2318DS-T1-GE3 成為眾多便攜式和高性能�(yīng)用的理想選擇�

替代型號

SI2302DS, SI2307DS, SI2312DS

si2318ds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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si2318ds-t1-ge3資料 更多>

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si2318ds-t1-ge3�(chǎn)�

si2318ds-t1-ge3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI2318DS
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫歐 @ 3.9A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds540pF @ 20V
  • 功率 - 最�750mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2318DS-T1-GE3TR