SI2318DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用小尺寸的 TSOT23-3 封裝,適用于各種高效�、空間受限的�(yīng)用場�。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合于負載開關(guān)、同步整�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他功率管理�(yīng)��
該器件在�(shè)計時注重降低功耗并提高系統(tǒng)效率,同時具備出色的熱性能以確保穩(wěn)定運行�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�3.5A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):90mΩ(典型�,Vgs=4.5V�
柵極電荷�7nC(典型值)
開關(guān)速度:快�
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
SI2318DS-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,� Vgs = 4.5V 下僅� 90mΩ,能夠有效減少傳�(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)能力,得益于其較小的柵極電荷,適合高頻應(yīng)��
3. 高度集成的小型封� TSOT23-3,有助于節(jié)� PCB 空間�
4. 寬泛的工作溫度范圍,� -55°C � +150°C,使其能夠在惡劣�(huán)境下可靠運行�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
6. �(nèi)置反向漏源二極管,簡化電路設(shè)計并提供額外保護�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 移動�(shè)備中的負載開�(guān)�
2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器的同步整��
3. 電池供電系統(tǒng)的功率管��
4. 消費電子�(chǎn)品的電源管理單元�
5. 工業(yè)控制及汽車電子中對小型化和高效能有要求的場合�
由于其優(yōu)異的電氣特性和緊湊的封裝形�,SI2318DS-T1-GE3 成為眾多便攜式和高性能�(yīng)用的理想選擇�
SI2302DS, SI2307DS, SI2312DS