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SI2324DS-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/27 13:23:36 查看 閱讀：30

SI2324DS 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝，廣泛用于便攜式設(shè)備中的高效開關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其非常適合于負(fù)載開關(guān)、電源管理以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。
　　SI2324DS 的設(shè)計(jì)目標(biāo)是提供出色的性能與可靠性，同時(shí)保持小體積以適應(yīng)現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)空間的嚴(yán)格要求。

參數(shù)

最大漏源電壓：20V
　　連續(xù)漏極電流：1.6A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：185mΩ（典型值，Vgs=4.5V時(shí)）
　　柵極電荷：7nC（典型值）
　　總功耗：360mW
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃
　　封裝形式：SOT-23

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻能夠減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速的開關(guān)速度可以降低開關(guān)損耗并改善動(dòng)態(tài)性能。
　　3. 小巧的 SOT-23 封裝適合緊湊型設(shè)計(jì)，節(jié)省 PCB 空間。
　　4. 支持較高的工作溫度范圍，增強(qiáng)了器件在惡劣環(huán)境下的適用性。
　　5. 提供良好的靜電防護(hù)能力（HBM > 2kV），提升了產(chǎn)品穩(wěn)定性。

應(yīng)用

1. 移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和電源管理。
　　2. 各類 DC-DC 轉(zhuǎn)換器及降壓電路。
　　3. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的次級(jí)側(cè)同步整供電設(shè)備中的保護(hù)電路。
　　5. 小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)和信號(hào)切換控制。

替代型號(hào)

SI2304DS, BSS138, AO3400

si2324ds-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2324ds-t1-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量61,813現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥5.09000剪切帶（CT）3,000 : ￥1.81139卷帶（TR）
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）100 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)2.3A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）234 毫歐 @ 1.5A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）10.4 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）190 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）1.25W（Ta），2.5W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3（TO-236）
  • 封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3