SI2333DS 是一款來� Vishay � N 沃特功率 MOSFET,采� TrenchFET Gen III 技�。這款器件具有極低的導通電阻和快速開關性能,非常適合用� DC-DC 轉換器、負載點�(diào)節(jié)器以及需要高效能開關的應用中�
該型號的封裝� SO-8 封裝,有助于提高散熱性能和電路板布局靈活性�
類型:N 沃特 MOSFET
封裝:SO-8
Vds(漏源電壓)�30V
Rds(on)(導通電阻)�3.5mΩ(典型�,Vgs=10V時)
Ids(連續(xù)漏電流)�34A
柵極電荷(Qg):26nC
最大工作結溫:175°C
功耗:5W
SI2333DS 提供了出色的效能表現(xiàn),主要特性包括:
1. 極低� Rds(on),可以有效降低傳導損耗并提升整體效率�
2. � Ids 和較低的 Qg 值使得其在高頻應用中表現(xiàn)出色�
3. 緊湊� SO-8 封裝設計,適用于高密� PCB 設計�
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)要求�
5. 支持多種電源管理場景,例如同步整流和降壓轉換器中的主開關�
該元器件廣泛應用于以下領域:
1. 筆記本電腦和其他便攜式設備的電源適配器�
2. 各種 DC-DC 轉換�,如負載點調(diào)節(jié)器和多相 VRM(電壓調(diào)節(jié)模塊)�
3. 工業(yè)控制系統(tǒng)的電機驅動和開關電源�
4. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器和轉換��
5. 消費類電子產(chǎn)品中的高效能電源管理單元�
SI2304DS, IRF7748Z