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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 12:07:56 查看 閱讀�37

SI2333DS 是一款來� Vishay � N 沃特功率 MOSFET,采� TrenchFET Gen III 技�。這款器件具有極低的導通電阻和快速開關性能,非常適合用� DC-DC 轉換器、負載點�(diào)節(jié)器以及需要高效能開關的應用中�
  該型號的封裝� SO-8 封裝,有助于提高散熱性能和電路板布局靈活性�

參數(shù)

類型:N 沃特 MOSFET
  封裝:SO-8
  Vds(漏源電壓)�30V
  Rds(on)(導通電阻)�3.5mΩ(典型�,Vgs=10V時)
  Ids(連續(xù)漏電流)�34A
  柵極電荷(Qg):26nC
  最大工作結溫:175°C
  功耗:5W

特�

SI2333DS 提供了出色的效能表現(xiàn),主要特性包括:
  1. 極低� Rds(on),可以有效降低傳導損耗并提升整體效率�
  2. � Ids 和較低的 Qg 值使得其在高頻應用中表現(xiàn)出色�
  3. 緊湊� SO-8 封裝設計,適用于高密� PCB 設計�
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)要求�
  5. 支持多種電源管理場景,例如同步整流和降壓轉換器中的主開關�

應用

該元器件廣泛應用于以下領域:
  1. 筆記本電腦和其他便攜式設備的電源適配器�
  2. 各種 DC-DC 轉換�,如負載點調(diào)節(jié)器和多相 VRM(電壓調(diào)節(jié)模塊)�
  3. 工業(yè)控制系統(tǒng)的電機驅動和開關電源�
  4. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器和轉換��
  5. 消費類電子產(chǎn)品中的高效能電源管理單元�

替代型號

SI2304DS, IRF7748Z

si2333ds-t1-e3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si2333ds-t1-e3資料 更多>

  • 型號
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si2333ds-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI2333DS
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C32 毫歐 @ 5.3A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs18nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 6V
  • 功率 - 最�750mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2333DS-T1-E3TR