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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/31 1:32:41 查看 閱讀�13

SI2336DS-T1-GE3 是一款來� Vishay � N 溝道增強� MOSFET 芯片,采用小型化� SOT-23 封裝。該器件以其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和高開�(guān)速度著稱,非常適合用于消費電子、通信�(shè)備及便攜式設(shè)備中的負載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電池保護等應(yīng)��
  其設(shè)計優(yōu)化了功耗與效率之間的平衡,并支持高頻開�(guān)操作,從而在空間受限的電路設(shè)計中提供高效的性能�

參數(shù)

型號:SI2336DS-T1-GE3
  Vgs(th)�0.8V � 2.5V
  Rds(on)�45mΩ(典型�,在 Vgs=4.5V 下)
  最大漏極電流(Id):3.9A
  最大柵源電壓(Vgs):±8V
  封裝形式:SOT-23
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

SI2336DS-T1-GE3 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠有效降低傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 支持寬范圍的柵極�(qū)動電�,兼容多種電源場��
  3. 高度集成的小型化封裝 SOT-23,有助于節(jié)� PCB 空間�
  4. 在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出色,適合嚴(yán)苛的工作條件�
  5. 快速開�(guān)能力,適用于高頻�(yīng)用場��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于組裝生產(chǎn)�

�(yīng)�

這款芯片被廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)�,例如:
  1. 手機和平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的電源管理�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器和同步整流電��
  3. 各類負載開關(guān)和電池保護電��
  4. 工業(yè)控制及汽車電子系�(tǒng)的輔助電源模塊�
  5. 需要高效功率轉(zhuǎn)換的小型化設(shè)計中�
  由于其高性能和小尺寸,SI2336DS-T1-GE3 成為眾多工程師在緊湊型設(shè)計中的首選方��

替代型號

SI2302DS, SI2307DS, BSS138

si2336ds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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si2336ds-t1-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V
  • �/源擊穿電�+/- 8 V
  • 漏極連續(xù)電流5.2 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.042 Ohms at 4.5 V
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOT-23-3
  • 封裝Reel
  • 下降時間10 nS
  • 正向跨導(dǎo) gFS(最大�/最小值)30 S
  • 柵極電荷 Qg5.7 nC
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散1.8 W
  • 上升時間10 nS
  • 典型�(guān)閉延遲時�20 nS
  • 零件號別�SI2336DS-GE3