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SI2336DS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/31 1:32:41 查看 閱讀:13

SI2336DS-T1-GE3 是一款來自 Vishay 的 N 溝道增強型 MOSFET 芯片,采用小型化的 SOT-23 封裝。該器件以其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和高開關(guān)速度著稱,非常適合用于消費電子、通信設(shè)備及便攜式設(shè)備中的負載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電池保護等應(yīng)用。
  其設(shè)計優(yōu)化了功耗與效率之間的平衡,并支持高頻開關(guān)操作,從而在空間受限的電路設(shè)計中提供高效的性能。

參數(shù)

型號:SI2336DS-T1-GE3
  Vgs(th):0.8V 至 2.5V
  Rds(on):45mΩ(典型值,在 Vgs=4.5V 下)
  最大漏極電流(Id):3.9A
  最大柵源電壓(Vgs):±8V
  封裝形式:SOT-23
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

SI2336DS-T1-GE3 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),能夠有效降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
  2. 支持寬范圍的柵極驅(qū)動電壓,兼容多種電源場景。
  3. 高度集成的小型化封裝 SOT-23,有助于節(jié)省 PCB 空間。
  4. 在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出色,適合嚴(yán)苛的工作條件。
  5. 快速開關(guān)能力,適用于高頻應(yīng)用場合。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于組裝生產(chǎn)。

應(yīng)用

這款芯片被廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,例如:
  1. 手機和平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的電源管理。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和同步整流電路。
  3. 各類負載開關(guān)和電池保護電路。
  4. 工業(yè)控制及汽車電子系統(tǒng)的輔助電源模塊。
  5. 需要高效功率轉(zhuǎn)換的小型化設(shè)計中。
  由于其高性能和小尺寸,SI2336DS-T1-GE3 成為眾多工程師在緊湊型設(shè)計中的首選方案。

替代型號

SI2302DS, SI2307DS, BSS138

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si2336ds-t1-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 晶體管極性N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V
  • 閘/源擊穿電壓+/- 8 V
  • 漏極連續(xù)電流5.2 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.042 Ohms at 4.5 V
  • 配置Single
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 安裝風(fēng)格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOT-23-3
  • 封裝Reel
  • 下降時間10 nS
  • 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值)30 S
  • 柵極電荷 Qg5.7 nC
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 功率耗散1.8 W
  • 上升時間10 nS
  • 典型關(guān)閉延遲時間20 nS
  • 零件號別名SI2336DS-GE3