SI2336DS-T1-GE3 是一款來� Vishay � N 溝道增強� MOSFET 芯片,采用小型化� SOT-23 封裝。該器件以其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和高開�(guān)速度著稱,非常適合用于消費電子、通信�(shè)備及便攜式設(shè)備中的負載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電池保護等應(yīng)��
其設(shè)計優(yōu)化了功耗與效率之間的平衡,并支持高頻開�(guān)操作,從而在空間受限的電路設(shè)計中提供高效的性能�
型號:SI2336DS-T1-GE3
Vgs(th)�0.8V � 2.5V
Rds(on)�45mΩ(典型�,在 Vgs=4.5V 下)
最大漏極電流(Id):3.9A
最大柵源電壓(Vgs):±8V
封裝形式:SOT-23
工作溫度范圍�-55� � +150�
SI2336DS-T1-GE3 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠有效降低傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 支持寬范圍的柵極�(qū)動電�,兼容多種電源場��
3. 高度集成的小型化封裝 SOT-23,有助于節(jié)� PCB 空間�
4. 在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出色,適合嚴(yán)苛的工作條件�
5. 快速開�(guān)能力,適用于高頻�(yīng)用場��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于組裝生產(chǎn)�
這款芯片被廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)�,例如:
1. 手機和平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的電源管理�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器和同步整流電��
3. 各類負載開關(guān)和電池保護電��
4. 工業(yè)控制及汽車電子系�(tǒng)的輔助電源模塊�
5. 需要高效功率轉(zhuǎn)換的小型化設(shè)計中�
由于其高性能和小尺寸,SI2336DS-T1-GE3 成為眾多工程師在緊湊型設(shè)計中的首選方��
SI2302DS, SI2307DS, BSS138