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SI2365EDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/7 10:00:55 查看 閱讀:27

SI2365EDS-T1-GE3 是一款來自 Vishay Siliconix 的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用微型的 PowerPAK? 1212-8 封裝,適用于需要高效率和低功耗的應(yīng)用場景。其超低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度使其成為便攜式設(shè)備、消費(fèi)電子及工業(yè)應(yīng)用中的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:9.7A
  導(dǎo)通電阻(典型值):3mΩ
  柵極電荷:4nC
  總電容:300pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

SI2365EDS-T1-GE3 提供了卓越的性能表現(xiàn),具有非常低的導(dǎo)通電阻,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。此外,該器件還具備快速開關(guān)能力,能夠顯著降低開關(guān)損耗。
  其小型化的 PowerPAK? 1212-8 封裝不僅節(jié)省了電路板空間,而且增強(qiáng)了散熱性能。同時,由于采用了無引線封裝設(shè)計(jì),這種器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出更優(yōu)的電氣性能。
  該 MOSFET 還支持較高的雪崩能量,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和魯棒性,特別適合用于要求嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

應(yīng)用

這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動器、電池保護(hù)以及便攜式電子設(shè)備的電源管理方案中。它也非常適合用作同步整流器,在高效率開關(guān)模式電源中發(fā)揮重要作用。
  另外,由于其低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸的特點(diǎn),SI2365EDS-T1-GE3 在多相供電系統(tǒng)、服務(wù)器和通信基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用領(lǐng)域同樣表現(xiàn)出色。

替代型號

SI2364DS, SI2342DS

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si2365eds-t1-ge3產(chǎn)品

si2365eds-t1-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格1 : ¥3.18000剪切帶(CT)3,000 : ¥0.71069卷帶(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)20 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)5.9A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)32 毫歐 @ 4A,4.5V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)36 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1W(Ta),1.7W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3(TO-236)
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3