時間：2025/5/7 10:00:55
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SI2365EDS-T1-GE3 是一款來自 Vishay Siliconix 的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用微型的 PowerPAK? 1212-8 封裝，適用于需要高效率和低功耗的應(yīng)用場景。其超低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度使其成為便攜式設(shè)備、消費(fèi)電子及工業(yè)應(yīng)用中的理想選擇。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：9.7A
導(dǎo)通電阻（典型值）：3mΩ
柵極電荷：4nC
總電容：300pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
SI2365EDS-T1-GE3 提供了卓越的性能表現(xiàn)，具有非常低的導(dǎo)通電阻，這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。此外，該器件還具備快速開關(guān)能力，能夠顯著降低開關(guān)損耗。
其小型化的 PowerPAK? 1212-8 封裝不僅節(jié)省了電路板空間，而且增強(qiáng)了散熱性能。同時，由于采用了無引線封裝設(shè)計(jì)，這種器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出更優(yōu)的電氣性能。
該 MOSFET 還支持較高的雪崩能量，從而提高了系統(tǒng)的可靠性和魯棒性，特別適合用于要求嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動器、電池保護(hù)以及便攜式電子設(shè)備的電源管理方案中。它也非常適合用作同步整流器，在高效率開關(guān)模式電源中發(fā)揮重要作用。
另外，由于其低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸的特點(diǎn)，SI2365EDS-T1-GE3 在多相供電系統(tǒng)、服務(wù)器和通信基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用領(lǐng)域同樣表現(xiàn)出色。
SI2364DS, SI2342DS
