SI2399CDS-T1是來自Vishay Siliconix的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體�,采用DFN8�3x3)封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種高效能電源管理應(yīng)用。其�(yōu)異的性能使得它在便攜式設(shè)�、計(jì)算機(jī)、通信系統(tǒng)以及工業(yè)控制等領(lǐng)域中被廣泛使用�
最大漏源電壓:30V
最大柵極驅(qū)�(dòng)電壓:�8V
連續(xù)漏極電流�4.5A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6mΩ(典型�,當(dāng)Vgs=10V�(shí)�
總功耗:1.1W
工作�(jié)溫范圍:-55°C�+175°C
SI2399CDS-T1采用了先�(jìn)的制造工藝,使其具備了非常低的導(dǎo)通電�,從而降低了傳導(dǎo)損�,提高了系統(tǒng)的效率。此�,該器件還擁有出色的熱性能和高雪崩能量能力,能夠承受短�(shí)間的異常�(fù)載條��
由于其小尺寸的DFN8封裝形式,不僅有助于減少印刷電路板的空間占用,還能改善散熱表�(xiàn)。同�(shí),它的快速開�(guān)特性可以降低開�(guān)損�,在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
另外,該器件符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合無鉛焊接制程�
SI2399CDS-T1非常適合用作同步整流�、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電池保�(hù)電路以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場景中的功率開�(guān)元件。在這些�(yīng)用中,它可以提供高效的電能轉(zhuǎn)換和�(wěn)定的�(yùn)行性能�
例如,在筆記本電腦適配器或者手�(jī)充電器的�(shè)�(jì)�,利用SI2399CDS-T1可以�(shí)�(xiàn)小型�、輕量化的產(chǎn)品目�(biāo),同�(shí)確保良好的輸出特性和較低的能��
SI2396DS, SI2397DS, SI2398DS